SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。
在同样的运作频率下，由于 SRAM 对称的电路结构设计，使得每个记忆单元内所储存的数值都能以比 DRAM 快的速率被读取。按产生时间和工作方式来分，静态随机存储器也分为异步和同步。在一定的纳米制造技术下，SRAM容量比其它类型内存低，这是因为SRAM需要用更多的晶体管存储一个位（bit），因而造价也贵得多。由于 SRAM 通常都被设计成一次就读取所有的数据位 (Bit)，比起高低地址的数据交互读取的 DRAM，在读取效率上也快上很多。因此，虽然 SRAM 的生产成本比较高，但在需要高速读写数据的地方，如静态随机存储器多用于二级高速缓存（Level 2 Cache）。
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