EDORAM WRAM MDRAM老知识介绍

EDORAM

EDORAM扩展数据输出内存。EDORAM是通过取消两个存储周期之间的时间间隔，来提高存取速率的。通常，在一个DRAM阵列中读取一个单元时，首先充电选择一行然后再充电选择一列，这些充电线路在稳定之前会有一定的延时，制约了RAM的读写速度。EDO技术假定下一个要读写的地址和当前的地址是连续的（一般是这样），在当前的读写周期中启动下一个读写周期，从而可将RAM速度提高约30%。但是，EDORAM仅适用于总线速度小于或等于66MHz的情况，是97年最为流行的内存。

WRAM　　

WRAM (Window RAM)：属于VRAM的改良版，其不同之处在于其控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式。与VRAM相比WRAM的带宽要高出25%，而且当运用例如块填充时WRAM可以达到更高的效能，此外最重要的是WRAM的制造工艺要比VRAM简单，其价格自然要比VRAM低；当然，相比单口的显存，价格还是很高的

MDRAM　

MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存，MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（视频内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。MDRAM可划分为多个独立的有效区段，减少了每个进程在进行显示刷新、视频输出或图形加速时的时间损耗。