新世代相变内存PCRAM的概述

PCRAM的概念

相变内存（PCRAM）的英文是“Phase Change Random Access Memory”，简称“PCM”，是一种非易失性的内存。相变内存是新世代内存（闪存）技术，国内外多家厂商都纷纷对此项技术进行开发。

目前PCRAM技术合作及研究成果的厂商（机构）列表

PCRAM的优点

组件特性方面，PCRAM融合了DRAM内存的高速存取及flash闪存在关闭电源后保留数据的特性，被视为未来内存闪存的替代品。

制程方面，PCRAM属于后段制程，容易与CMOS逻辑制程整合，不受组件微小化的规范，可以跨越制程可缩性的鸿沟，对于SoC与独立内存（Standalone）都有优异的发展空间。

应用方面，PCRAM可重复写入10万次以上，读写速度可达到现有闪存的1000倍，写入电压小于2V，读取电压小于1V，不需要复杂且高成本的升压电路设计，具有低耗电和低电压操作的特点，完全满足可携式电子产品的设计要求。

PCRAM的工作原理

PCRAM主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储。与DRAM或flash的使用电子进行数据的记录与抹除不一样，PCRAM使用可逆相变材料作为全新的记忆晶胞架构，通过调整电流的大小与脉冲宽度，改变材料的结晶状态，达成记录或抹除数据的功能。

PCRAM操作方式图