Intel弹性双通道内存技术的英文是Intel Flex Memory Technology，该技术使得内存的搭配更加灵活，它允许不同容量、不同规格甚至不成对的内存组成双通道，让系统配置和内存升级更具弹性。
ORNAND是以第二代MirrorBit技术为基础，第一代MirrorBit技术由AMD公司在2001年提出，目的是克服NOR闪存密度低的缺陷，开发出较大容量的产品。
无论NAND还是NOR，两者在基本的数据存储方式和操作机理上都大致相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管(场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这个过程需要耗费不短的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。
这种情况经常出现，只要做过电脑维修的恐怕都遇到过类似插反内存烧毁的事情。一般情况下，内存条的烧毁多数都是因为我们在长时间的故障排除过程中。精神不集中，在反复开机测试过程中无意把内存条插反或内存条没有完全插入插槽，也或许是带电拔插内存条，造成内存条的金手指因为局部大电流放电而烧毁。
OneNAND结合了NAND存储密度高、写入速度快和NOR读取速度快的优点，整体性能完全超越常规的NAND和NOR。不过三星并不是希望它快速取代传统的NAND，而是将其作为NOR的竞争者。在具体实现上，OneNAND其实并不复杂，三星并不是采用另起炉灶的方式来设计它，而是巧妙地将NAND与NOR的结构融为一体。OneNAND采用NAND逻辑结构的存储内核和NOR的控制接口，并直接在系统内整合一定容量SRAM静态随即存储器作为高速缓冲区。这样，OneNAND就可以在容量指标上与NAND闪存靠拢，目前它的最高密度指标达到4Gb，虽然在容量上略不如NAND但比NOR闪存要高出许多。
内存模组（Unbuffered, Registered, Small Outline DIMMs）有专门的“键”或者插口与其连接器相连。这些键必须与存储器中的一个键相连，才能插入模块。所有DDR和DDR2模块类型都键入不同以防止插入了不兼容的插口。
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