当各家DRAM厂纷纷大幅投资兴建12寸厂且努力扩增现有12寸厂产能时,在讲求利用最先进制程以降低成本的标准型DRAM生产上,8寸厂将逐渐失去成本优势,面对此一情形,多家DRAM厂已陆续开发去化8寸产能的新策略。
三星已扩增产品种类,来抢搭手机及消费性电子产品新需求成长的机会。受到手机、数位相机、行动硬盘等产品强劲需求成长的影响,NAND flash在2003年产出位数成长百分之一百八十且受到平均产品价格每季下跌百分之二十的影响,2004年产出位数预期将上涨百分之一百八十。
在NAND flash产出位数大幅成长百分之一百八十而DRAM位成长百分之五十的情况下,三星的NAND flash出货量将在今年第四季超越DRAM。在非DRAM营收部份的成长,今年预期将从去年的百分之三十三提高到百分之四十八。
同样的,海力士也已分拨更多的产能来生产system IC及NAND flash。在今年第二季的营收报告里,system IC占该公司整体营收的百分之十七而SRAM/Flash则占有百分之五的比重。在NAND flash市场上大力扩增产能情况下,海力士在flash投片量从今年三月时的20K增加到六月的35K,预料近期将达到40K。
美光的非DRAM部门占总体营收的百分之十五,而其中有很大的部份是来自CMOS。美光已预测今年将销售四千至六千万手机用感应器。在现有月产能八寸200K情况下,美光必须扩增新产品线来增加毛利率且分散风险。对美光而言,CMOS显然是条不错的出路。
至于台湾的DRAM厂,力晶计划藉由提拨四成产能至代工来增加非DRAM部份的营收。力晶将持续扩增产品种类组合,跨足消费性RAM, ASIC, CMOS, Flash及system IC。茂德也致力增加代工比重,将产出由今年第二季的15K提高到第四季的25K,增加的绝大部份是来自Pseudo SRAM与低功率SDRAM。不过南亚科技还是将主力放在标准型DRAM上,其今年代工比重只占产能的一成。
随着手机及通讯产品需求加温,DRAM的应用也将相对多元化,而非仅局限于个人电脑上。在非DRAM产品有较高毛利率的带动下,未来DRAM厂将持续朝产品线多角化前进。
本周DRAM现货价格
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2004/7/27 |
2004/7/28 |
2004/7/29 |
2004/7/30 |
2004/8/2 |
2004/8/3 |
Change |
256Mb 32Mx8 |
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DDR400 |
4.63 |
4.58 |
4.57 |
4.56 |
4.55 |
4.47 |
-3.46% |
DDR333 |
4.54 |
4.45 |
4.45 |
4.44 |
4.42 |
4.39 |
-3.30% |
DDR266 |
4.53 |
4.56 |
4.56 |
4.45 |
4.42 |
4.39 |
-3.09% |
SDRAM |
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1Mx16/166 |
1.00 |
0.98 |
0.96 |
0.95 |
0.94 |
0.93 |
-7.00% |
4Mx16/166 |
2.55 |
2.49 |
2.41 |
2.35 |
2.33 |
2.29 |
-10.20% |
8Mx16/133 |
4.09 |
4.07 |
4.05 |
4.03 |
4.01 |
3.97 |
-2.93% |
16Mx16/133 |
4.45 |
4.45 |
4.45 |
4.43 |
4.42 |
4.42 |
-0.67% |
16Mx8/133 |
4.32 |
4.28 |
4.26 |
4.26 |
4.24 |
4.24 |
-1.85% |
32Mx8/133 |
4.42 |
4.42 |
4.42 |
4.41 |
4.40 |
4.38 |
-0.90% |