疲软的需求，合约价将会再度上涨!

在耶诞假期过后，在DRAM现货市场上的交易变的比圣诞节前清淡。再由12月的二次合约定价的状况来看，12月的需求的确转弱，然而部份DRAM厂提前在11月底卖出12月份的产出及部份厂商增加库存的影响下，我们认为DRAM厂企图减少供给以维持目前的价格，另一方面，买方也注意到目前的现象，也决定等待更低的价格而非买进更多的芯片。但因为上星期有圣诞节前的急单及DRAM厂出货减少的状况影响下，DRAM报价维持相当稳定，256 Mb (32Mb*8) 400MHz和333MHz的均价分别维持在4.05和4.06美元之间和3.82美元。总而言之，在策略性库存及需求减弱的情况下，下一周现货价格应可维持稳定或小幅下滑状态，但元月上半月合约价则预估会进一步下滑。

在SDRAM市场上，目前低容量SDRAM现货价还是使得厂商持续亏损中，特别是对那些IC设计公司而言。因为买方并无要积极买进芯片的动机特别是在年度终结的下一周，所以我们目前仍未看到下星期会价格反弹的任何讯号。另一方面，SDRAM公司在下一周也不会在这赔钱的价格下倾倒芯片。因此，我们认为现货价会呈现稳定或小跌格局而明年第一次合约价则可能维持与12月下半月相同的报价。

在NAND Flash现货市场中，上星期部分NAND Flash制造商释出芯片但需求呈现冷清的状态下，2G NAND Flash的平均价由12月21日的17.34美金下滑到12月27日的16.58美金。因为最近Micron和Hynix陆续推出2G NAND Flash产品，我们预测Samsung未来会使用策略性降价来降低竞争者的市场占有率及获利。我们可以预见2G NAND Flash在2005年将会非常竞争，所以2G NAND Flash价格目前可说也仍未触底。