来源:
By Bonnnie Lin, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange
年末最后一个星期的现货市场整体的表现十分萧条,交易及订单的需求都非常有限。库存盘点是最主要的市场变量。市场上很难看到主要品牌的DRAM在交易,DDR400/333/266的价格在狭幅区间震荡,然而,eTT是上周众所瞩目的目标,价格再2004年最后一个交易周上涨了5个百分点以$3.68收盘。
由于需求的疲软以及供给方的卖压减轻,因此我们认为本周的DRAM现货行情不会有太剧烈的变化。但是,假使目前的现货行情跌到了一个特定的价格水准,中国市场的买家就会开始在现货市场上买进足够的颗粒为即将来临的农历春节备货。换句话说,就目前的现货价格,中国市场的买家似乎正犹豫是否该买进颗粒,除非价格够低,否则贸易商们不会轻易的出手购买。总而言之,我们相信DRAM的价格下周不会有明显的上涨或下跌,而是维持一个平稳的价格趋势或是小幅下跌。就合约价而言,我们很难推断中国农历年前的需求是否会强过耶诞效应。然而,来自美国及中国PC OEMs的需求已略显疲软。我们预期一月上旬的合约价将会下跌一至二个百分点。
就NAND Flash而言,2 Gb, 4 Gb, 及8 Gb的供给量在前两个星期略显不足,但是他们的现货价格却一直在下跌,尤其是2Gb及8G在前两个星期都下跌了四个百分点。 是什么样的因素造成这样的情形?
2Gb 价格下滑的因素:
上上週由於接近了耶誕季節性需求的尾聲加上年底作帳的壓力,貿易商及模組廠商紛紛的降價求售以出清庫存進而達成年度營收目標。
8Gb 价格下跌的因素:
众所皆知,三星会为了将主流颗粒移往更高的密度而降低其价格。有些人猜测8Gb价格下跌是三星的订价策略为了对竞争对手美光最近将2Gb的出货量提高所做出的反应,然而,我们相信主要的原因仍是三星一贯的做法,将主流的颗粒移往更高的密度。
时序进入了一月的第一个礼拜,我们已看到了不同以往的较为强劲需求指标,主要来自于欧洲及亚洲。就合约价而言,我们预期高密度的NAND Flash的合约价格下跌,但低密度的则持平。就现货市场而言,我们认为现货价格有机会因为需求强劲供给有限增加尽管合约价有下跌的走势。