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更低的现货价和合约价 上星期在供给不多且需求薄弱的状况下DRAM交易有限,根据一月份上半月合约价格下滑的状况来看,来自计算机大厂的需求还是维持薄弱的状态,且计算机大厂对下半月合约价及需求还是维持跟上半月的看法一致。虽然DRAM供货商还是期盼着来自中国农历新年的需求,但认为价格随时都会下跌的买家并不增加购买量反而是等待更低的价格。部份交易商也预先卖出下半周即将取得的芯片。主流256Mb (32Mb*8) DDR 400MHz平均售价从1月3日的4.04美元上涨到1月10日的4.10美元。
消息来源指出DRAM厂将会在下周释出芯片,所以所有的交易商都在等待价格下跌。事实上部分很久没有在现货市场出现的颗粒最近几天也在现货市场中出现。我们也注意到部份厂商也开始放货到现货市场中,DRAM厂似乎有压力要释出手中芯片。因此,我们预测下星期现货价格将会下跌。但价格如快速下跌至特定价格将会带动中国买家开始买进更多芯片来为中国农历新年而准备。
在SDRAM市场中,低容量SDRAM厂仍被低于成本的现货价格而苦,这些厂商不会在这样的价格卖出手中库存,而是等待韩国DRAM厂降低低容量SDRAM的产能。部份高容量SDRAM则受计算机季节性影响,所以128Mb SDRAM一月份上半月合约价下跌2.78到3.45%,但256Mb SDRAM则受到网通产品的影响而保持稳定,我们目前仍未看到有价格反弹的迹象,但我们认为现货价格会维持稳定或小幅下跌。
在NAND Flash现货市场中,在上星期来自中国的需求针对消费性产品的2G和4G NAND Flash,因为有限的供给和稳定的需求状况下,2G NAND Flash从1月3日的16.91美元小涨到1月10日的16.92美元。部份买家指出几天后将NAND Flash将会放货到市场上。因此,部份买家都在等待更低的价格,而价格下滑的程度将视放货的数量而定,我们预测这一周NAND Flash價格將有下跌的壓力。