DRAM 的现货价及合约价在上周变化幅度不大

具有指标意义的颗粒，DDR 256Mb 32Mbx8，在上周的价格变化幅度不大。DDR 256Mb 32Mbx8 400/333/266 MHz 从5/17的收盘价格$2.31、$2.33、 $2.39 至5/24的亚洲早盘跌了2.6%、0.8%、0%，以$2.25、$2.33、$2.39收盘。相同的期间，SDRAM 32Mbx8的价格走势从$4.14 到 $4.16而16Mbx8的价格则是从$3.64到 $3.63。低容量的SDRAM 4Mbx16及1Mbx16则维持$0.45及$1.00的价格。eTT(UTT)在上周的价格走势则是在$2.02 ~$2.07的狭幅区间震荡。

DDR 256MB模块的合约价格在五月下旬落底

虽然PC OEMs 仍要求256MB UDIMM 的价格再下跌百分之五，然而，当部分买方提高百分之二十到百分之三十采购量的同时，DRAM制造商则不是很愿意将价格定在低于$20。除此之外，$2.25的DDR 256Mb价格已低于大部份DRAM制造商的成本。我们相信DDR 256MB 的合约价格在短期之内几近落底而DRAM的价格应会随着季节性的需求而逐渐上扬。然而，在短期之内，DRAM 的供给端并无短缺的顾虑，因此，我们并不认为DRAM的价格会呈现大V字型的急速反弹。我们预期DDR 256 32Mb x 8 的平均价格会缓步上升, 在接近第三季底的时候到$3左右。

DRAM/NAND Flash 的12吋产能开始量产

根据DRAMeXchange 的数据库，我们预估全球的12吋产能将会从第一季的每月246(千片)提升至第四季的每月408(千片)三星将会持续提高其Fab 12,Fab 13及Fab 14的产能。根据三星的计划，目前Fab 12生产DRAM 及NAND Flash，Fab 13 主生产DRAM，同时，Fab 14 将会生产NAND Flash。由英飞凌及南亚科技所合资的华亚半导体，将会在2005年十月产能达到满载，每月54(千片)且到2005年年底可能会扩充产能到每月62(千片)。力晶的12吋厂产能将分配高达每月10(千片)的AG-AND Flash 以提供给瑞萨半导体，同时也计划在未来的第三座12吋厂，12C，生产Data Flash。该12吋厂将在2005年第四季破土。

DRAM的产能将移转至NAND Flash

根据三星第一季的投资人会议， 三星的NADN Flash总产能在2005的第一季大约有700K且将会在2005的第四季达到800K。Hynix 则是对NAND Flash 的市场非常的有企图心。 Hynix 从2004年的初期已经将50K以上的DRAM产能移转到NAND Flash 且将视市场的状况移转额外的50K到NAND Flash。目前，Hynix 正在量产4Gb的NAND Flash， 英飞凌及美光对NAND Flash的市占率则是偏低的，他们每月Flash 的产能皆低于10(千片)。

当DRAM的价格低于成本，我们相信大部分的DRAM制造商会分配较多的产能到 NAND Flash 以获得较高的利润空间，因此，2005年年底的DRAM 供给的位成长率将会因此而受到限制