市场对DDR512Mb以及DDR2 512Mb的看法迥异

By Joyce Yang, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange

主流颗粒 DDR 256Mb 32Mb 400/333MHz 上周行情呈现狭幅区间震荡，从6/7到6/14, 400MHz的价格从$2.42~$2.45的价格区间下跌至$2.39, 而333MHz则是一度从$2.39上涨了2.5%到$2.45之后又下跌至$2.42。

由于中国市场的强劲需求以及Hynix 的供货有限，DDR 512Mb 64Mbx8 400MHz的价格呈现一路上涨的走势，从$4.82上涨了4个百分点至$5.01。同时，DDR2 512Mb 64Mbx8 533MHz则是由$5.87下跌至$5.76。根据我们对通路商的访查，由于DDR模块可以超频至500MHz以上的频率速度，因此终端买家对采购DDR2-533MHz显得兴趣缺缺，加上DDR2 677MHz的芯片组要到第三季才会上市，因此DDR2的模块就相对的显得乏人问津。 然而，许多DRAM制造商在转换制程及量产DDR2的同时，也囤积了不少DDR2的存货。我们相信，DRAM厂为消化存货压力, 将会将低良率的DDR2颗粒倒进现货市场且目前DDR2的现货价格将因此而再度下跌，且在未来甚至会比DDR的颗粒还要来得低价。由于Powerchip 对现货场上eTT(UTT) 的供货十分有限，因此eTT(UTT)价格走势仍旧十分的正面，从$2.2上涨至$2.28。同时，一些通路商以及模块厂一方面预期未来的价格走势将会上扬，一方面为了旺季的到来而囤积eTT的存货。然而，许多市场人士则是认为Powerchip将会放宽对现货市场的供货，而eTT的价格则会因此而呈现疲软的走势。

市场上的需求使得SDRAM 1Mx16 及4Mx16的价格走势十分看好

低容量的SDRAM 1Mx16 及 4Mx16的价格分别由$0.48上涨至$0.49 及$1.03上涨至$1.04. 跟据通路商的来源指出，Samsung 已经停止低容量SDRAM的供货且Hynix 也已经降低低容量SDRAM的产能，市场人士相信低容量SDRAM的价格将会因此而上扬。因此，买家将会发现他们愈来愈难以低价在市场上买进低容量SDRAM。

Nand flash 的价格从上周的高点滑落

就Nand flash而言，当Hynix 在星期四以低价出货的Nand flash产品到中国香港以及中国台湾市场，Hynix Nand flash 1Gb/2Gb的价格从上周的高点滑落。此举对整个的市场十分具有影响力。Samsung的货将会在星期五到达中国香港，且许多买家预期Samsung 将会跟随Hynix的脚步降低合约价，因此买家们纷纷暂停了买货的动作以观望是否价格如期下跌。自6/6到6/14，Nand flash 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb的均价从$8.0/$13.37/27.7分别下跌至$8.04/$12.96/$26.66。Hynix1Gb/2Gb今日的价格则是收盘在$7.15及$12.2。