在供给趋紧及投机需求下DDR 256Mb现货价一周内上扬8%

By Joyce Yang

两家韩系DRAM大厂在计算机系统大厂合约需求转强及因转换产能至NAND Flash 致供给成长减缓下, 至七月初起, 便减少至现货市场的供给量. 三星更将原厂制作模块256MB官价调至 $24 美元. 另外, 一家主要的DRAM ’空白颗粒’供应厂也提高对一家全球第一模块厂的供货, 而减少对其他客户的供货量. DRAM 主流颗粒DDR 256Mb 32Mbx8 400/333MHz价格由上周二$2.45美元, 涨至$2.64美元. 而’空白颗粒’成交价也由$2.30美元上涨至$2.49美元.

根据消息来源指出, 自七月初起,大部份DRAM代理商都未能满足模块厂客户的需求. 而模块厂也更积极在市场上进货以因应市场价格进一步上扬. 有些交易商也投机性买进DRAM颗粒. 在昨天, 以市场较低价出脱获利了结.

我们相信DRAM现货价会维持上扬趋势, DDR 256Mb 32Mbx8会往$3.0美元前进. 上涨动能在近一周何能会趋缓, 因为有些买方态度趋谨慎, 不会进一步追高, 了结. 我们预计七月底, 八月初, 另一波上涨动能会发动.

DDR 512Mb 上扬 5.75% 而 DDR2 512Mb 下跌 0.8%

在需求转强及供给成长减缓下, DDR 512Mb 64Mx8价格由 $5.22上扬5.75%至 $5.52. 相反的, DDR2 512Mb在需求仍不振, 供给过剩下, 价格仍下滑0.8%, 来到$5.14. 我们认为DDR2模块需求要等DDR2 667MHz的芯片组供应上市, 市场需求才可能上扬. 然而, 在有些DRAM厂仍有DDR2库存,欲销往现货市场, DDR2 512Mb 价格将会持续低于DDR512Mb.

By Judy Chen

2Gb NAND Flash 现货价格反弹七个百分点

本周NAND Flash 的价格可说是涨跌互见，512Mb 以及 2Gb 的现货价格分别上涨了一至七个百分点，至于其余容量的颗粒则仍旧有一至四个百分点的跌幅。根据我们对通路商的了解，目前的需求疲软，只有部分工厂对2Gb及512Mb的颗粒有小量的采购。就供给端来看，时序迈入了七月的第二周，上月于现货市场的库存似乎至目前为止已全数出清。因此，我们可以观察到这两个颗粒有着小幅的反弹。然而，我们相信，即将来自韩国的出货量将会使得七月的现货价格回到之前下跌的走势。

不同品牌的2Gb NAND Flash现货价差高达十三个百分点

自上月月底开始，我们开始观察到一个非常有趣的现象。来自两韩国供货商的NAND Flash 现货价差开始扩大。而本周最热门的颗粒，2Gb，价差则是高达了十三个百分点。这是两种不同策略，对主要的供货商而言，他们会将产能移往高密度的颗粒，因此使得2Gb的供给减少，价格当然因此上扬。然而，对模较小的供货商而言，产能则是大多数用来生产2Gb颗粒以便压低价格增加市占率。两种不同的韩国品牌，不同的策略，最大的受惠者想必是需求端的供货商吧!