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DRAM的现货价格呈现缓慢上升的趋势

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By Joyce Yang, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

虽然DRAM现货价的成长幅度在上周7/26~8/1趋缓,但整体的价格仍旧上涨了大约2个百分点。

DRAM 现货价上升的幅度趋缓

DDR 256Mb 400MHz 的现货价格小幅成长了1.1%,8/2当日则是以2.73美元收盘 。SDRAM在上周则呈现持平的走势,价格波动区间约莫1.5个百分点。有效测试颗粒(eTT)则是延续上周上涨的走势,本周上涨了1.95个百分点,8/2当日以$2.62收盘。

贸易商与通路商预期未来的价格走势会上涨,因此,并不愿意降价求售。相较于美国及欧洲市场,中国是唯一有较高购买动机的市场。

DDR 256MB模块的八月上旬合约价预期会成长二至四个百分点

合约市场的价格走势则是与现货市场恰恰相反,八月上旬的合约价普遍预期在七月下旬上扬五至六个百分点后, 涨势将会持续。大部分的内存制造商企图将合约价调涨七至十个百分点。然而,PC OEMs 希望涨幅大约在二至四个百分点。

某些采购DDR较为大量的PC OEMs 已表示对于供给吃紧的顾虑。由于 DDR 与 DDR2目前的价差使得许多内存制造商放慢了产能分配到DDR2的脚步,甚至缩减DDR2的产出以争取较大的获利空间。

By Judy Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

NAND Flash 高容量2Gb以上的颗粒现货价最高上涨5个百分点

NAND Flash这个月的高容量颗粒不如上个月月底的跌价反而是呈现上涨的趋势。2Gb 以上高容量的颗粒上涨幅度为二至五个百分点。因此,2Gb/4Gb/8Gb分别收盘在13.18美元,23.53美元及44.98美元。整体上而言,本周现货市场的供给量十分的有限。有谣言指出,为了刺激价格上扬,韩国的供货商及其代理商不供应NAND Flash。除此之外,市场上弥漫着投机的气氛,人们持续等待八月合约价出炉。随着大家预期合约价将会持平,因此,现货价将会上扬。

然而,1Gb以下低容量颗粒的现货价则是呈现持平的走势。我们在现货市场上的确观察到些许的抛货压力,而代理商而言1Gb则是唯一承受卖压较大的颗粒。

现货市场上开始可见Micron 2Gb NAND Flash

本周,我们开始可看见Micron 2Gb NAND Flash的颗粒在现货市场上流通。即使,主要厂牌的颗粒现货价正在上扬,Micron 却是以低价抛售,而价差约莫有二十个百分点。就供给量而言,则是与其它主要厂牌没有太大的差别。然而,即使有着大幅的价格差异,市场上对Micron 2Gb NAND Flash的需求仍是疲软的。除非美光能拿到更多NAND Flash的认证,否则市场上对于该品牌的需求将不会有显著提升。

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