2005 第一季至第三季 DRAM现货价走势之回顾与第四季之展望

By Joyce Yang, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

DDR 2 良率进步但价格下滑迫使厂商重新分配产能

今年第一季，在DDR2 制程转换不顺，低良率及芯片恐因此而遭受损失的压力下， 一月DRAM供给的位成长率仅微幅增长个位数百分点。 主流颗粒，256Mb 32Mbx8的现货 价在一月仍维持US$4以上，但，自二月中开始，价格就呈现下跌的走势。三月尾声， 在供给端较强的位成长率及笔记型计算机，主机板出货量下跌的压力下， 现货价一度跌至US$2.5。

据DRAM制造商表示，由于良率的改善以及12吋产能相较第一季成长百分之十六， 因此，第二季DRAM的位成长率达到百分之十六。同时，主流DRAM的现货价在第 二季持续走跌至US$2.3-2.4，而四月至五月，256MB DIMM 则是在US$20 (颗粒单价US$2.25-2.3) 低价盘旋。

疲软的DRAM价格走势迫使大多数的DRAM制造商在第二季蒙受不小的损失。 而该价格也跌破了厂商的平均成本US$2.6 ( 包夸前段雨后段制程)。 然而， 价格仍旧高于 DRAMeXchange 所预估的平均变动成本US$1.5。DRAM 制造商 深怕价格持续走跌侵蚀毛利，因此，纷纷积极的将产能移往NAND Flash 或其它利基型IC产品，如绘图卡所用的内存，mobile RAM，CMOS影像传感器。 在毛利的考虑下，部分内存制造商甚至将代工服务的比例增加。

从产能分配的角度来看，在众多的IC产品中，DRAM 及 NAND Flash 的产品相较之下仍旧是最热门的。

主机板出货量的急速上升带动整体的DRAM 出货量

DRAMeXchange 预测DRAM的价格会缓步上升，但由于第四季需求的位 成长率落后产出4.4个百分点使得价格的成长幅度受到了限制。

自九月开始，主机板及笔记型计算机的出货量会更进一步 刺激DARM 的产出。我们估计国内第一大主机板厂商九月出货量将连续 成长八个百分点，而前六大笔记型计算机ODM厂商出货量也将有九个百分点的成长率。

在九月返校需求的支撑下，无论DRAM 现货价或合约价将会逐步上升。 要特别注地的是，12吋厂加速量产及九十奈米转换的情况比预期乐观， 这将使得第四季DRAM价格成长受到限制。

By Judy Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

本月价格微幅下跌

NAND Flash 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb在8/29分别收盘在US$6.91, US$12.42/US$23.35/US$44.93。而8/23-8/29，8Gb 及 4Gb的价格大致持平 而2Gb 及1Gb 下跌的幅度有两个百分点之多。

由于现货市场上供给及需求端疲软使得交易量明显的受限。 本周，在代理商及贸易商月底业绩压力下，产品多半降价求售， 因此交易情况显得较为热络，现货价格也因此而走跌。

自韩国NAND Flash 供应大厂的颗粒仅少量供货给亚洲市场且集中在某特定的容量。 许多来自亚洲市场外的通路商来找寻4Gb 及以上的颗粒使得这些颗粒的现货价大致持平。