九月DRAM现货价格趋势: 缓涨向上

By Joyce Yang, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

主流颗粒DDR 256Mb (32Mbx8) 400MHz的现货价自 9/1 US$2.46微幅上涨到US$2.53。而原本自六月涨至八月底, 持续三个月上扬的DDR 512Mb (64Mbx8)颗粒 (6/1 US$4.67 ~8/23 US$6.11)，趋势反转向下,本日现货价收盘在US$5.95。DDR2 512Mb的现货价格呈微褔盘整在US$5.23-$5.25之间波动。eTT 256Mb (32Mbx8) 自八月初向下修正后,8/29落底在US$2.24今天反弹至US$2.28。SDRAM 4Mx16 及 1Mx16的价格持平在US$1.1 及 US$0.7。

由于许多交易商在五月DDR 256Mb颗粒的价格跌至US$2.3的时候大量累积库存而日前因市场需求不如预期,致走势趋跌,便将这些库存量持续地现货市场倾销，因而导致八月的现货价向下修正不少。DRAMeXchange 认为在终端需求加温下，九月DRAM 价格将会缓步上扬。

DDR 与 DDR2 九月上旬合约价, 价格走势分歧

DRAMeXchange 发现DRAM制造商积极将产能移往DDR 2的产能配置远高于终端市场对DDR 2的需求量。产能的移转使得DDR的供给自五月已开始有明显的吃紧状态。

由于DDR 与 DDR2 供需情形不同，因此，两者的合约价开始呈现不同的走势。大多数的DRAM制造商打算提高DDR九月上旬的合约价至少二至三个百分点，然而，对DDR2模块则是采取调降价格的策略。

部分的DRAM厂商被客户要求减缓产能移转至DDR2的速度,以免DDR短缺。但某些DRAM厂还是积极转进DDR2, 因为如此才能提升DDR2产出规模以降低成本。同时，他们认为，DDR2的需求将在第四季转强。

By Judy Chen, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange

4Gb 及 8Gb NAND Flash的现货价小幅反弹一个百分点

1Gb, 2Gb, 4Gb 及 8Gb NAND Flas的现货价, 在9/5分别收盘在US$6.86, US$12.27, US$23.54 及US$45.7。8/30 ~ 9/5 的这个礼拜，4Gb 及 8Gb的现货价小幅反弹一个百分点，2Gb下跌一个百分点，而1Gb 则是持平的。

现货市场上NAND Flash的交易情况，终于在本周有明显的好转。需求主要集中在 容量4Gb以上的颗粒，特别是8Gb。当时序进入九月，现货市场将会更为热络。

在这一两个礼拜出货给OEMs的颗粒仅限于高容量，而现货市场上主要的供给来源则来自于贸易商手边的库存。随着现货市场的需求逐渐浮现，人人都期望现货价能在短期内反弹。

本周，现货市场上最常看到的是8Gb NAND Flash，尤其是对亚洲市场外的贸易商，该颗粒则是他们最为感兴趣的。然而，由于买卖双方的价差，8Gb的现货价仅上涨了一个百分点。我们相信，只要需求不是那么的迫切，价格一旦上涨的过快，需求将会迅速消失。

目前，不管是现货市场或是OEMs 市场，2Gb NAND Flash的供货量都十分的充足。由于需求端不是那么的强劲，因此，本周该颗粒的现货价下跌了一个百分点。