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由于主流颗粒的价格下跌,导致DXI数值在11月8日至15日之间,掉了2.3%(65点),来到了2750。
上周(11月8-15日)间,DDR 256Mb 32Mx8 400MHz的现货价格由2.34美元跌至2.25美元,跌幅3.8%。同时,相同容量的ETT (UTT)颗粒,价格也滑落至2美元以下,在1.94美元与1.96美元之间徘徊。DDR2的市场交易也由于主要厂牌的价格由4.44美元跌至4.36美元,跌幅1.8%而显的毫无生气。N.M.B (非主要厂牌)的价格则是下跌1.5%,由3.28美元跌落至3.23美元。低密度的SDRAM,其价格仍在低价附近徘徊。SDRAM 1Mx16 成交价在0.62美元至0.63美元之间,而SDRAM 4Mx16成交价则约为0.96美元至0.98美元之间。
当DRAM价格持续向下滑落时,部分主要DRAM买家和模块厂商会因为手中持有的库存而蒙受损失。因此,他们倾向在接获订单的时候才开始向外采购DRAM颗粒。部分贸易商已经开始失去耐心等待价格反弹而纷纷将所持有的DRAM库存在市场中倾销。
DRAMeXchange观察到部分标记为五月至六月生产的DRAM颗粒仍在现货市场里流通,该现象指出,某些DRAM的贸易商为了自身的投机行为而将这些DRAM颗粒保存数月。消息来源指出近期内,最新的ETT (UTT)价格将下跌至美金两块钱且所供给的量也将提升。因此,DRAM价格在整个十二月将会遭受到不小的价格压力。
虽然中国台湾前四大主机板制造商表示在十月的出货量成长了将近9.4%,而总出货量也将在十一月时达到最高峰,但是DRAM仍因为从九月起就开始浮现供过于求的现象,导致合约价和现货价在前几个月双双下滑。这种不稳定的价格则很明显的反应在中国台湾DRAM制造商十月份的财报上。尽管Nanya和Powerchip分别表示营收各增加了3.8%和14%,但DRAM 的平均售价 在十月至少下跌了5%。
除了8Gb部分外,大部分的NAND Flash颗粒在稳定的需求和有限的现货市场供应下,得以使价格持稳。8Gb的交易价格在11月8日至15日这周内,由55.54美元跌至54.68美元。1Gb/2Gb/4Gb的成交价格则微幅上扬,分别由28.52美元至28.88美元,14.39美元至15.1美元与8.07美元至8.18美元。
我们观察到目前交易仍然是很有限,尤其是4Gb和8Gb的颗粒。Hynix所制造的2Gb芯片,在中国市场需求量的支持下成长迅速。然而,有消息指出Hynix本周将释放出更多的颗粒到现货市场中,而且部分卖家也开始以较低的价格出清存货。