二月上旬合约价: DDR2 劲扬近15% - 18%,DDR1上扬9% - 10%

（2006年2月7日）由于适逢中国农历年，因此上周亚洲地区交易清淡，并无太大变化。现货市场方面， DDR与DDR2价格也没有大幅波动。根据DRAMeXchange报价：DDR2 533MHz 512Mb (32*8)价格由5.15美元小幅上涨至5.17美元，DDR2 667MHz 512Mb (32*8)则因缺货不易购得，价格由5.24美元小幅上涨至5.28美元。而假期结束后，DDR UTT已有部分需求回笼，DDR 256Mb (32M*8) UTT价格由2.0反弹至 2.02 美元，DDR 256Mb (32M*8) 400MHz价格持平在2.27美元。DDR 512Mb (32*8)价格由4.26小幅下滑至 4.24美元。

但是在合约市场部分，合约价则是反映DDR2缺货的现况，调整幅度拉近与现货报价的差距。二月上旬DDR2 256MB 由一月上旬17-18.75美金上涨至20-21.5美元，512MB则由34 - 37.5美元上涨至40-43美金,涨幅近15%-18%。DDR在缺货效应不明显，成交价低于DDR2 256MB由一月上旬DDR1 256MB 17.5 -18.75美元，上涨至19 - 20.5 512MB，则由35 - 37.5美元上涨至38 – 41美元，涨幅近9% - 10%。

而DDR2市况再12月下旬一夕之间的改变的原因，DRAMeXchange分析师表示:主要来自于三星持续转进NAND Flash，及在2005年第四季，2006年第一季，持续拉高mobile RAM and graphic memory 投片比例，使得三星主流DRAM 产出自十二月中起，明显下降。而一向以三星为主要DRAM 供货商的客户，则受到直接供货量减少，因此对其他DRAM厂下单大幅提高。一月份由于大部份DRAM厂尚有库存因应，而且某些OEM也早已锁定价格。所以一月份的合约价涨幅仅在 3%-5%。但在一月下旬，确定DDR2 缺口将更扩大，DRAM厂商己预计将DDR2二月份合约价256MB/512MB一举调高到$20/$40。在确定对一线厂商成功调涨至$20/$40，更进一步对二线厂商调涨至$22/$44。但二线厂商对此高调幅也表示难以接受，因此合约价谈判过程拉长。但是在DDR2缺货状况未见改善前，DRAM厂商均表示在第一季DRAM价格应是易涨难降。

NAND Flash 现货市场交易冷淡导致价格下跌1-5%

上周，由于来自亚洲买家及工厂正在农历新年假期中导致NAND Flash现货市场的需求薄弱的。由于主要的生产地集中在亚洲区域，大宗的NAND Flash 现货市场亦集中于此区域，因此DRAMeXchange观察本周于其它区域的交易也仅有少数。

在2006年1月31日到2月6日期间 ，除了8Gb现货价维持在38.84美元以外，大多的NAND Flash颗立现货价格呈现下跌走势，跌幅在1-5%左右。1Gb， 2Gb， 4Gb 和 16Gb 的 NAND Flash 现货价格分别下跌 1%， 5%， 1%， 3% ，在 2006 年 2 月 6 日分别以 6.96 美元， 12.02 美元， 20.66 美元和70.02 美元收盘。