DRAMeXchange :DDRII二月份合约价格继续上扬，将带动DDRI价格小幅上涨或持平

DRAMeXchange :DDRII二月份合约价格继续上扬，将带动DDRI价格小幅上涨或持平

DXI( DRAMeXchange Index)指数上周微幅上涨，指数由上周的3136上涨至3158。现货市场方面DDRII价格走势仍强劲，但是DDRI明显乏人问津。由于Mira的DDRI 256Mb eTT(UTT)已经开始在现货市场放货，价格大约在2.1美元附近，因此许多买家仍期待更低的价格使得DDRI需求不强。DDRI 256Mb (32M*8) 400MHz价格持平在2.33到2.32美元间，DDRI 256Mb (32M*8) eTT(UTT)价格由2.23美元小幅下滑4.5%至2.13美元。DDRII部分，由于模块厂客户对于DDRII的需求仍强劲，价格由4.69美元上涨至5.03美元，价格涨幅约7.4%。

合约市场部分，一月下旬合约市场DDRII 512 Mb (32*8) 400MHz价格上涨3.5%达4.09美元，DDRII 256MB/512MB模块价格分别为17.83/35.67美元。而DDRI 512Mb (32*8)与上旬持平在4.14美元水平。因此DDRI 256MB/512 MB价格持平在18-18.5/ 36-37.5美元。尽管DDRII现货价已反弹到5美元左右了，1月下旬的合约价涨幅仍会落后于现货价格，DRAMeXchange分析师指出，主要由于部分DRAM厂在去年11月价格低靡时与PC OEM厂签订较长期合约,锁定价格, 所以未能完全反应上涨幅度。因此厂商乐观表示DDRII 合约价格2月仍可持续上扬5%-10%，也将连带使得DDRI价格小幅上涨或持平。

在需求端方面，2005第四季由于PC产业的出货基期相对较高，加上PC业者大量出货使得2006第一季通路端已经有看到库存塞货的状况，将使得2006年第一季PC出货量较去年第四季下滑10-15%水平。但是相对于供给端的DRAM产业而言，供给DRAM的产能却也同步下滑，使得产业近期出现供给吃紧的窘境。而且现货市场对于DDRII的需求已经开始逐渐增温，模块厂已开始在现货市场收购DDRII UTT规格，目前DDRII 使用的PCB也有吃紧的状况。在DDRII产能不足的情况下，DRAMeXchange预期平稳往上的价格趋势可以维持2月。

现货价在短暂的涨幅后就下跌

本周现货市场上，高容量的颗粒呈为买家主要的焦点，特别是1/18 与 1/19 两日买气最强，使得4Gb 至 16Gb NAND Flash 颗粒的现货价格在1/17 至 1/23这周的平均最高涨幅达五%。然而，相较过去几个礼拜，低容量 NAND Flash颗粒的现货价则是反转呈下跌的走势。

NAND Flash 的现货价于2006年1月23日分别是1Gb与2Gb下跌了3％，4％而4Gb，8Gb和16Gb则上扬了3％，5％与1％，价格分别来到7.05美元，13.38美元，21.54美元，38.48美元，和74.42美元。和DRAMeXchange在2006年1月17日最新公布的合约价比较起来，目前的NAND Flash 现货对合约价的仍高出5-23%，其中以2Gb为价差最高的颗粒。

高容量Flash颗粒的供应仍集中在较大的合约客户。当西方季节性需求的结束，我们发现部分4Gb到16Gb的NAND Flash颗粒由这些地区涌入现货市场。随着过去一个月的大幅跌价，现货市场里的投机客已无保留库存，导致目前现货市场中高容量的NAND Flash供给有限。在加上这星期亚洲模块制造商对于高容量的记忆卡需求迫切，导致前述尖峰日期时，单日NAND Flash现货价格上扬了6％

我们认为现在的涨价只是短暂的情况，因为随者中国新年的到来，中国大陆部分的工厂已开始停产休息，而且亚洲区模块制造商和现货交易商也都开始出清手上的库存货以避免未来两周假期里可能的跌价风险。NAND Flash所有颗粒的需求会转弱且交易也会较为不热络，如此的状况将导致NAND Flash所有颗粒的价格走势从2006年1月23日该周起皆为向下。