DXI指数上周持续反弹，NAND Flash现货价重回下跌趋势，超微试图突破英特尔防线

DXI指数上周持续反弹，价格指数由上周3030上涨至3045。指数上扬，主要反映上周DDR与DDR2于现货市场小幅上涨。

现货市场方面，DDR 256Mb eTT价格上周均价最高来到USD 2.01后，周五时,部分贸易商便出清库存来获利了结，因此价格拉回到$1.95.本周开始买盘持续走强, 今天早盘价格回涨至的2.01美元。 DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz 价格则由USD 2.02上涨至USD 2.11，比较DDR 256Mb eTT与DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz品牌颗粒。现在两者价差仍在0.1美元以内，远低于三月底,两者价差达0.3美元之多。根据历史经验,通常DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz品牌颗粒现货价格均高于DDR 256Mb eTT，当价格呈涨势时，两者价差会缩少， 当价格呈跌势时，两者价差会扩大。之前涨势极强时，DDR 256Mb eTT价格甚至曾高于DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz。显示当需求过高时，品牌颗粒无法满足的需求，会转向DDR 256Mb eTT以获取获利的可能性。今年一月初， DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz256Mb 与DDR eTT价格价差即几近零。后来价格在下跌中，两者价差扩大为0.3美元。 四月初，价格又呈现相差无几的价差。

DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz，价格涨2.9%到USD 4.25。至于DDR2部分，同样呈现涨势。 但涨幅不若DDR.DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)价格于上周由USD 4.75上涨2.9%至USD 4.89。虽然整体DRAM价格在现货市场微幅上涨，但是在传统PC淡季影响下，买气并不强劲。

四月上旬合约价,持平成交居多

DRAM厂指出DDR2市场四月份供给仍吃紧，大多数的客户接受持平的合约价。

DDR模块在DDR2的支撑下，维持持平。另外,自一月以来，DDR2模块价格狂涨，DDR模块仅曾小幅上扬。两者的价差已达24%左右。以四月上旬成交价而言， DDR512MB与DDR2512MB均价各为36.9美元及45.6美元，价差达8.7美元，近24%.三月下旬，DDR模块价格下跌，主要因当时DDR现货价下跌幅度扩大的影响。四月上旬谈判时，DDR现货价呈现不弱的涨势，也使DRAM厂坚持维持平价。计算机系统大厂也指出，原本自三月下旬开始，合约价谈判中均努力试图将成交价往下谈，但价格并不好谈。多数得接持平，仅少数有微幅让步，但跌幅很小。DDR2虽不再狂缺，系统厂商的痛苦时期已过。但对DRAM供货端仍要跟得很紧，才能确保供货交期及数量符合预期。

NAND Flash现货价如DRAMeXchange所预测重回下跌趋势

NAND Flash现货价和DRAMeXchange在上周周报中预测的一样，猛涨僅僅是由NAND Flash缺货的错觉造成的，本周价格又重陷跌落趋势，周降幅为2-12%，月降幅为15-36%。

NAND Flash现货交易量由于价格跌落趋缓而有所增加，MoM跌价率与上月相比，已经开始放缓，因此，我们看到现货市场的交易量，随着主要来自大中国区的工厂的需求的出现，逐渐开始增加。而NAND Flash现货市场的贸易商由于未来的价格风险依然存在以及在第一季度的降价中受到创击，所以采购动作依然很谨慎，并且仍保持低库存水平。

06年第一季度，NAND Flash芯片的需求转移到4Gb到16Gb的颗粒，使得1Gb 和2Gb的价格遭受重落。

06年一季度NAND Flash芯片的需求从4Gb 转至 16Gb，1Gb 和 2Gb 芯片价格遭到剧烈的下滑。按照我们对NAND Flash现货市场交易的观察，4Gb/8Gb/16Gb芯片的成交比重佔总量於06年第一季度已超过50%較去年第四季度的30%來說已大幅成長 。这显示了NAND Flash零售市场消费使用上的容量變大，对整體NAND Flash消耗而言是个好兆头。

1Gb 和 2Gb颗粒的跌价大幅跌價後，目前的价格水平已经非常接近这两颗的生产成本。因此，我们认为，这两个芯片的跌价空间将很有限且下滑将放缓。然而，随着60nm SLC 的量产，如果需求依然滞缓，這些顆粒的成本進而轉至更低将可能導致另一波的价格大战。

由于NAND Flash的供应充足以及较高容量的颗粒需求依然疲软，低容量的芯片价格也许将会反弹，四月的合约价依然充满变数。

目前大多数NAND Flash供应商发布的4月合约報价看来，价格上升了10-20%。然而，自06年1季度以来渠道和模组厂双方下游库存高水位堆积，加上中国即将到来的劳动节长假带来的需求有限，使得客户采购的意愿低落。

不过，我们预测低容量NAND Flash芯片將有可能於近期出现反弹迹象。NAND Flash供应商由于今年第一季的客户预期訂購量较低導致這些低容量NAND Flash芯片於06年第一季的投片量大幅減少，再加上某些成品的品管测试只有通過某些特定的颗粒，例如術位相機中所內鍵的128Mb-256Mb NAND Flash芯片，目前看來此產品需求好于预期，所以我們預期在接下来的幾周中低容量NAND Flash芯片也许会出现缺货的’狀況。

超微动作频频试图突破英特尔防线

集结多家芯片组厂力阻英特尔独霸市场

为力阻英特尔平台化策略进逼，超微与绘图芯片厂NVIDIA将携手合推商用标准规格平台，透过完整解决方案，抢进中小型企业市场。超微于去年9月结合芯片组及主机板厂，针对商用市场推出CSIP(Commercial Stable Image Platform)平台稳定计划，而于2006年3月，CSIP将结合NVIDIA推动「Business Platform」商用平台计划，以超微处理器、NVIDIA芯片组为中心，向外延伸出包括管理、应用、兼容性及稳定性等标准认证机制，为商用平台伙伴提供标准化架构。预估将吸引华硕、技嘉、微星及富士康等多家MB厂参与，进而拉升超微于商用DT市场的市占率。

超微CSIP平台稳定计划并非首创，英特尔先前为强化商用市场版图，推出名为SIPP的规格稳定平台计划，之后2005年力拱平台化策略，而改名为Business Platform，也顺利拿下多数市占。而超微为抢进商用市场，跟进推出CSIP，但因本身仅有CPU产品，因此需结合NVIDIA、硅统、威盛等芯片组业者，及主机板厂通力合作，方能确保平台规格顺利推出。超微此一「反英特尔平台化」策略计划，在共同竞争对手不断壮大下，自然吸引同阵线业者相挺，只是目前商用市场仍为英特尔所掌控，且技术规格门坎高，超微携手众家业者抢进，恐需有长期抗战决心，才能有具体成效显现。

挟效能优势端出优惠吸引经销通路商加入

超微处理器的效能价格在市场上的评价已不输英特尔，只是先前在商业通路市场未有明显成绩，因此，超微为巩固得来不易的两成市占率，而持续进攻英特尔盘据多年的通路市场版图。超微针对通路市场推出「商业通路计划」，藉由推出捆绑培训数据、技术支持、测试机器产品及资金援助等服务来拉拢通路商和系统整合商，另外，超微也积极抢食大型标案的市场，冀望由通路市场扩展版图。

其实英特尔已在经销通路耕耘多年，全线产品具备，对于合作伙伴也都有提供技术支持、解决方案等服务计划，且每季办教育训练，提升经销商的专业销售能力。因此超微此次推出商业通路计划，仅是将其对通路市场的服务提高与英特尔相近的水平，此举多少将给英特尔阵营带来压力，但是对经销客户而言却是利多消息，因超微的加入让客户有更多选择，经销通路商可望摆脱单一厂商的箝制，而有机会让超微有机会向两成以上的市占推进。