中国农历年假期将至，现货市场需求明显萎缩；NAND Flash市场处于淡季时刻，业者推广新的应用以刺激需求

中国农历年假期将至，现货市场需求明显萎缩

现货市场方面，中国农历年将至使得市场需求进一步萎缩，DDR2现货价格持续下跌，DXI指数由4139下跌至3998。但相较于DRAM产业的淡季效应，茂德的ECB却能顺利溢价完成募资。显示以投资人观点来看，认为DRAM产业仍有长线投资的价值。

现货市场方面，现货市场需求明显萎缩，尽管价格持续走跌仍无法刺激出市场买气。DDR2 512Mb 667MHz下跌至4.52美元。而DDR2 512Mb eTT上周价格下跌到3.11美元，单周跌幅达4.3%。DDR 512Mb 400MHz 价格下跌至3.75美元，跌幅4.8%。

在一月份价格大幅度修正后，目前跌幅已经开始趋缓。虽然现货市场需求并不明显，但是模块厂商的生产线却都是在满载状态。主要原因在于中国农历年假期将至，而大中华地区假期长达一周以上，因此许多模块厂生产线全开来提前准备过年期间需要销售的DRAM模块。然而对上游的DRAM制造商而言，除了少数需要岁修的DRAM厂之外，大部分的工厂却不会因为过年而停工，因此更加深了供过于求的疑虑。

DRAM现货价格至1月开始明显走跌，以DDR2 eTT为例，近一个月的价格跌幅已达40%，而DDR2 512Mb 667MHz近一个月跌幅也将近24%。而DRAM制造商美光也在日前的法说会上提及，本季的DRAM价格将较上季下跌15%左右。

但相较于DRAM产业的淡季效应，资本市场却对于DRAM产业以较正面的态度响应。以茂德近期所发行的3.5亿美元海外无担保可转换公司债(ECB)顺利募集完成，每股转换价格为新台币14.7元，溢价幅度达19%。在目前DRAM市况不佳状况下，能够顺利的溢价完成募资实属难能可贵。显示以投资人观点来看，认为DRAM产业仍有长线投资的价值。

NAND Flash市场处于淡季时刻，业者推广新的应用以刺激需求

NAND Flash市场价格在过去的三个月内呈现迅速下滑的现象，除了1Gb的颗粒价格较为抗跌之外，2Gb以上的NAND Flash颗粒价格跌幅都在50%上下。分析NAND Flash价格下滑如此快速的原因在于市场已进入传统淡季使得供给明显高于需求。

NAND Flash供应端的各家厂商为了扩大自身的市占率，在制程和产能的开发脚步上十分积极快速。过去一至两年内许多NAND Flash供货商的12吋厂产能陆续开出，制程也从原先的90奈米往70、60甚至往50奈米迈进，整个NAND Flash供应端的产出步伐相当迅速。若从NAND Flash需求端来看，确实有不少的应用装置需要使用NAND Flash，例如：MP3播放器、多媒体手机、数字相机、随身碟、GPS手持式装置和游戏机等。但因为一些高容量的应用装置目前的市场需求不是十分热络，无法将NAND Flash厂商开出的新产能一一消化，因此NAND Flash的价格在过去三个月一直呈现下滑的情形。

在目前NAND Flash的市场需求处于相对低迷的时刻，供应端的厂商已经考虑暂缓兴建新的12吋厂，并且将部份的NAND Flash产能转为生产DRAM，以便减轻市场供过于求的状态。各家厂商目前也在积极推广新的NAND Flash应用，以刺激整体市场的需求，并努力降低库存以使价格可以止跌回稳。

最后，DRAMeXchange将上周一和本周一NAND Flash现货的收盘价做一比较，各容量的现货价格都呈现下滑。1Gb从2.56下滑至2.51美元，跌幅为2.0%；2Gb从2.64下滑至2.61美元，跌幅1.1%；4Gb从3.88下滑到3.72美元，跌幅4.1%；8Gb从6.31下跌至6.19美元，跌幅为1.9%；16Gb从12.63下跌至12.38美元，跌幅2.0%。