DDR2 eTT价格跌深反弹；随身碟 4GB以上高容量产品的市场逐渐成熟

DDR2 eTT价格跌深反弹，然而价格是否止跌仍需视DRAM厂库存去化状况

尔必达于2/19宣布将把广岛的8吋厂设备出售给中芯的合作伙伴成芯半导体，未来将专注发展先进制程并提高12吋晶圆的生产比重。由于DDR2 800MHz将于今年下半年成为主流，若8吋的DRAM厂没有将制程转进90nm，DDR2 800MHz的产出比例将会受到限制。因此8吋厂的去化为DRAM厂今年必须要积极面对的棘手问题。

目前DRAM业者普遍将8吋厂转为代工，或是生产利基型的DRAM或是FLASH等其它产品。但是尔必达仅一座约40K左右的8吋厂的产能，相对于其它DRAM厂负担较轻。虽然现阶段出售设备的交易金额仍未确定，但可以看出尔必达未来所发展的方向将集中有限资源积极扩充12吋产能。此外，尔必达去年底计划与力晶合资兴建12吋厂，并将今年资本支出提高至US$1,200M，种种策略无非期望能在2010年以后市占率超越三星。至于三星也未必愿意为了获利而放弃市场主导者地位。因此DRAM厂商之间的12吋产能扩充竞赛俨然开打。

DRAM报价方面，中国农历年假期间现货市场并没有太多成交量，现货市场的品牌颗粒价格持续下滑，DDR2 512Mb 667MHz下跌至4.21美元。然而DDR2 eTT却逆势上涨至3.25美元，在DRAM厂库存水位仍偏高下，DDR2 eTT价格仅止于跌深反弹。价格是否止跌仍须视DRAM厂商于3月的库存去化状况。

而二月下旬DRAM合约价持续下跌，DDR2 512MB 667MHz模块价格普遍跌破40美元，平均价格约38美元左右。换算成DDR2 512Mb 667MHz颗粒价格大约在4.38美元，使得合约价格与现货市场的品牌颗粒价格相差无几。

随身碟 4GB以上高容量产品的市场逐渐成熟

随身碟USB Flash Drive，简称UFD，尽管不是耗用NAND Flash产能的最大终端应用，却一直是Flash生产厂商不容忽视的一项产品。根据DRAMeXchange的观察，2006年随身碟的全球出货量约在1.05亿支左右。随身碟产品在2006上半年以512MB和1GB两种容量为主，但从2006年第三季开始1GB容量成为随身碟市场的主流，到了第四季2GB的随身碟出货比重也开始往上快速增加。

受到近期NAND Flash价格快速下滑的影响所致，目前随身碟的市场价格也出现快速往下调整的状况。2GB的随身碟市场售价已经落在15至25美元之间，4GB的售价则多半在30至60美元之间。一般来说，随身碟和记忆卡的主流容量往上提升一个等级多发生在该等级的产品市价低于30美元时，目前4GB随身碟的市场最低价已经来到30美元左右。DRAMeXchange相信最快从今年第二季开始，4GB随身碟的市场需求就会开始逐渐显现。

目前市面上同一容量的随身碟价格有高有低，主要原因在于厂商设法为这个已经相当成熟的商品加入多样化的功能所致。随身碟原本的功用只是单纯的作为储存备份资料之用，厂商为了吸引一般用户可以购买自家生产的随身碟，在随身碟的外观造型和内在功能上都开始花心思去重新设计。有的厂商将随身碟做成名片或一些比较讨喜的外型以吸引用户购买，也有些厂商针对比较实际的功能去设计，如：防水、指纹辨识、加密功能等。

虽然随身碟已属成熟市场商品，但在Vista的Ready Boost效应带动、随身碟的外观设计逐渐个人化与内建功能持续增加的情况下，DRAMeXchange认为2007年随身碟的出货成长仍有20%以上的空间，且市场会朝向4GB以上的容量发展，对NAND Flash整体产能的耗用有相当程度的帮助。

最后，DRAMeXchange将2/12和2/26的NAND Flash现货收盘价做一比较：1Gb从2.51下滑至2.43美元，跌幅为3.2%；2Gb从2.61下滑至2.58美元，跌幅1.1%；4Gb从3.72上涨至3.75美元，涨幅0.8%；8Gb维持在6.19美元左右，涨跌幅为0%；16Gb从12.38上涨至12.41美元，涨幅0.2%。