DXI打W底，短期呈底部整理，蕴酿反弹契机；ITRS & IEDM 论坛揭橥NAND Flash未来技术新走向

DXI打W底，短期呈底部整理，蕴酿反弹契机

DRAMeXchange所推出的DXI，本身代表DRAM产业的产值，不仅显现其对DRAM产业景气的敏感度，且具有DRAM厂股价领先指标的特性。DXI经过集邦科技多年来不断测试修正后，DXI可视为目前DRAM厂股价趋势转折的重要指标。

DXI于2007年1/2开始，由4622一路下跌36%至6/12之2975，曾一度于8/21反弹13%至3369，但即回复下跌趋势，续跌23%至11/28之2606，又于12/6短弹1.3%至2641，12/17再回测2607，打了第二只脚后，形成一完整之W底。2007年12/31之DXI到达2661.5，其指标意义在于DXI已呈现底部整理，蕴酿反弹契机。

在DRAM价格经过半年下跌趋势后，DXI跌势至此暂时趋缓，呈现底部整理的型态。同时在台湾DRAM厂个股股价方面，力晶、南科、茂德股价亦于2007年11/28日来到近期股价低点，打下第一只脚后出现反弹，股价于近期亦有落底的味道。

DXI再次与DRAM厂股价呈现同步甚至领先之走势，不论是DRAM产业、投资业、买卖业各方，也纷纷注意到DXI对DRAM产业景气的敏感度，及具有DRAM厂股价领先指标的特性。DXI经过集邦科技多年来不断测试修正后，DXI目前可视为DRAM厂股价趋势转折的重要指标，具有相当高的可信度。

DXI之所以有如此效用，主要在其本身即代表全球DRAM总产值最实时的状态。DXI是经由集邦科技筛选出市场主流DRAM颗粒后，将全球DRAM厂每月各主流颗粒的产出总数量，乘上各颗粒每日三次市场成交的的现货价格，再经统计方法修正所得到的数值。简单来说，DXI就是全球DRAM产业之产值与业绩指标。根据集邦科技近期透过统计方法检验，DXI与全球DRAM厂在DRAM业务方面每月营收之总和，有高达0.97的正相关。

ITRS & IEDM 论坛揭橥NAND Flash未来技术新走向

2007年12月初在日本的幕张国际展览中心（Makuhari Messe）举办的2007 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors) Winter Conference中，记忆体专家们对NAND Flash的未来技术进展提出了新的修改，由于NAND Flash制程技术的竞争激烈，因此ITRS在2007年12月将NAND Flash记忆胞(cell)的尺寸微缩芯片产出量倍增规律，在2007-2008年仍维持在之前的2年一个世代周期，2009-2011年起才调整为3年一个世代周期，主要因素为3X & 2X nm NAND Flash制程所需的相关生产技术及微缩显影设备，需要花费比4X & 5X nm制程更长的研发时间，此外ITRS在2007年4月的法国安希(Annecy)论坛中，也已重新诠释摩尔定律(Moore’s Law)的广义定义为：包括芯片几何尺寸上减半微缩、采用新芯片架构带来的性能倍增、以及由芯片设计改良带来的多功能化等，将成为半导体新世代技术改进的芯片性能/成本比倍增规律。

另外2007年12月中旬在美国华盛顿DC举行的2007 International Electron Devices Meeting（IEDM）论坛中，NAND Flash相关业者也提出了Data Flash在sub-40 nm制程的未来的技术发展方向，由于Floating Gate(FG)型MLC NAND Flash在3X nm制程生产中将会面临：记忆胞间的干扰(disturbance)、电容耦合比(capacity coupling ratio)的降低、保存电荷数的减少以及短通道效应(short channel effect)漏电等的影响将日趋严重，因此Samsung表示正在考虑从40nm以下制程导入Charge Trap(CT)型TANOS(Tantalum Aluminum Oxide Nitride Oxide Silicon)，以取代原来的浮动闸型(FG)记忆胞，目的是减小记忆胞间的干扰影响。另外为减小短通道效应的影响，Samsung也提出将采用鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistors)型三维闪存记忆胞(3D Flash-cell)的技术，用来改善30 nm以下制程的Data Flash久存度(retention)性能，Samsung并可能于2008 ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)正式发表4X nm 3D 2-bit/cell单元层迭 Data Flash。

同时Toshiba也在IEDM上，发表采用三维记忆胞层迭生产技术BiCS(Bit-Cost Scalable)之超高密度闪存的最新开发成果，而Toshiba/SanDisk也可能在2008 ISSCC上正式发表56 nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，并已对其数据传输速度进行技术改良。此外一些半导体制程设备厂商如：ASML、Applied Materials…等，近期也宣示将协同客户共同研发生产3D data Flash所需的相关设备及技术，依照ITRS的进度规划，3D data Flash预期主要将会运用2Xnm制程技术来生产，并于2012年后开始成为data Flash市场的主力产品之一。

近期Micron & Intel则表示将着手研发2X nm的FG型MLC NAND Flash的可行生产技术解决方案，其它data Flash业者则表示将会朝研发2X nm的CT型2-bit/cell、3-bit/cell & 4- bit/cell data Flash或3X nm FG型 3-bit/cell & 4-bit/cell MLC NAND Flash来发展。依照ITRS的进度规划，3X nm CT型data Flash将会在2009年后开始成为data Flash市场的主力产品之一。同时Infineon、Qimonda、IBM & MXIC的研究小组，也在IEDM上发表了2-bit/cell & 4-bit/cell型相变化内存(Phase-change RAM)的多层化新型数据写入技术，使其更具有发展成为高性能低成本的新兴NV(non-volatile)内存的潜力产品之一。集邦科技也预期2008年NAND Flash相关厂商将会陆续提出更多新的生产技术改善方案，使其产品具有更佳的性价比，应用到更多崭新的领域里。

NAND Flash上周现货价格回顾

最后，DRAMeXchange将12/24至12/31各容量的NAND Flash颗粒现货收盘价进行比较：1Gb SLC的价位从2.2美元下滑至2.15美元，跌幅为2.3%；2Gb SLC从3.46美元下滑至3.34美元，跌幅3.5%；4Gb SLC维持在6.03美元，涨跌幅0%；4Gb MLC从3.16美元下滑至2.79美元，跌幅11.7%；8Gb SLC维持在11.5美元，涨跌幅为0%；8Gb MLC的价格从3.34美元下滑至3.3美元，涨跌幅为1.2%；16Gb SLC价格维持在24.4美元，涨跌幅为0%；16Gb MLC从5.94美元下滑至5.83美元，跌幅1.9%；32Gb MLC从12.1美元下跌至11.9美元，跌幅1.7%。