DRAM厂未有减产共识下，2008年的竞争模式将从淘汰赛转为延长赛；4X nm制程及multi-bit/cell技术的开发将是NAND Flash业者保持成本竞争力的关键之一

DRAM厂未有减产共识下，2008年的竞争模式将从淘汰赛转为延长赛

自2005年DRAM厂展开扩厂的序幕后，2006年间各家DRAM厂因为颗粒价格的上涨而享受到丰厚的果实，然而快速扩张的同时也伴随着供过于求的隐忧，再者DRAM厂本身对于VISTA的需求过于乐观，更种下了2007年至今DRAM价格快速下滑趋近于崩盘的结果。

根据集邦科技以目前现金持有状况与各DRAM厂的营业利益做比较分析，由于2006年DRAM市场需求强劲，DRAM价格上扬，让DRAM各大厂商大量投入资金扩产，不到一年的光景，2007年DRAM价格的下滑速度却超乎预期，营业利益快速恶化的情形下，部份制程转换落后，成本结构相对弱势的厂商，甚至出现了严重的亏损。扩产所支出的资金加上亏损带来的压力，现金持续下降，部份厂商也因为资金压力，将短期投资转换为现金，或是利用八吋厂卖出再租回的方式，增加现金筹码。整体而言，在2007年第四季连成本结构良好的DRAM厂商都出现亏损，手上现金燃烧速度过快，也让原本欲趁此时机抢攻市占率的厂商，都感受到资金压力，转而在2008年降低资本支出，想办法拉高DRAM的获利，降低亏损。

即使如此，各大DRAM厂仍抵挡不住的毛利被严重的侵蚀，甚至颗粒价格逼近了变动成本，加上宣布减产即是退出市场的基本思维下，至今未见任何一家宣布减产，再者，更有部份的DRAM厂认为最坏的时代即是最好的机会，不畏惧价格下跌的压力，仍然依照原订计划持续扩厂与增加产出，试图以自身的经济规模强占市场占有率并逼退体质不好的竞争对手，殊不知纵使是体质不好的对手，为了生存也可展现强劲的生命力，也绝不轻言放弃，这些DRAM厂也许手上的现金不如一线大厂，但仍可以透过延缓扩厂、岁修、人事管控甚至破产保护来延长其企业寿命，当初一线的DRAM大厂所打的如意算盘已不像当初所预估的一样，利用赛局理论(Game theory)以自身优势逼退其它竞争对手，如果这样持续下去也将意味2008年DRAM厂间的战争将从淘汰赛转型为延长赛，届时一线DRAM厂不光无法逼退较为弱势的对手，自身也将承受营运上极大的压力，以目前的态势来分析，唯有前几大DRAM厂停止扩厂、放慢制程升级或产能调整，才有机会让DRAM价格从谷底攀升，价格回归基本面。

4X nm制程及multi-bit/cell技术的开发将是NAND Flash业者保持成本竞争力的关键之一

自Apple在2005年采用NAND Flash做为iPod的储存组件后，NAND Flash在2006和2007年的第一季均呈现供给过剩的状态，而今年第一季NAND Flash的市场状况似乎还是重演过去两年首季供给过剩的情形。这是因为NAND Flash的四个主要应用：手机、数位相机、随身碟和MP3/PMP第一季的出货量明显较第四季减少许多，加上各主要供货商的12吋Fab厂产能持续开出，因此造成最近几年NAND Flash市场在第一季常会出现供过于求的季节性现象。

在整体市场处于供给过剩的情况下，供货商往往透过一些方法来调节手上的存货，使市场价格缓和往下修正，如此也使厂商本身不致于在供过于求的市况时丧失太多的获利能力。然而，上游厂商真正维持竞争力的关键还是在于如何加快NAND Flash 4Xnm & 3Xnm制程技术的开发速度，而开发3 bit per cell与4 bit per cell的FG(floating gate)或CT(charge trap)型的Data Flash芯片生产技术也是降低生产成本的方法之一。按照各主要供货商对外发布的新闻稿和内部预4x奈米以下制程的投片生产时间表来看，目前Toshiba/SanDisk阵营仍旧领先其它业者。

按照Toshiba/SanDisk先前对外发布的数据来看，使用43奈米制程生产的16Gb MLC的芯片面积只有120mm2，将比目前56奈米制程生产的16Gb MLC的芯片面积减少30%左右。这意味着新制程可以使NAND Flash颗粒的单位生产成本下降，增加厂商的获利能力。

3-bit/cell & 4-bit/cell技术主要是增加NAND Flash内部每个cell的bit储存量；虽然会因此降低部份性能，但也降低NAND Flash的单位生产成本，可从目前2-bit/cell MLC型芯片的单位生产成本比SLC型低，但性能也较差得到证明。因此集邦科技认为未来几季内其它NAND Flash业者也将陆续推出FG 或CT 型的4X & 3X nm制程和3-bit/cell & 4-bit/cell技术生产的产品，以维持市场的竞争能力。

三月下旬NAND Flash 合约价简评

3月下旬NAND Flash 合约价在1Q08传统淡季效应、市场供过于求以及厂商季底结帐促销等诸多因素综合影响下，价格呈现下跌约0-15%的状况。 其中，SLC 的跌幅相对MLC大，主因为MLC 4Q07以来的跌幅比SLC 大，所以SLC 有呈现落后补跌的状况。展望2Q08随着厂商供给成长将放缓，加上需求也可望逐渐回温，将使得市场供需缺口缩小，因此我们也预期2Q08 NAND Flash合约价将有机会逐渐止跌走稳。

NAND Flash上周现货价格回顾

DRAMeXchange将3/24和3/17的各容量的NAND Flash颗粒现货收盘价做一比较：1Gb SLC的价格从1.81下滑至1.78美元，跌幅1.7%；2Gb SLC从2.68下滑至2.6美元，跌幅3.0%；4Gb SLC从4.06下滑至3.69美元，跌幅9.1%；4Gb MLC的价格维持在1.90美元，涨跌幅0%；8Gb SLC从7.9下滑至7.31美元，跌幅为7.5%；8Gb MLC的价格从2.58微幅下滑至2.52美元，跌幅为2.3%；16Gb SLC价格从18.51下滑至16.69美元，跌幅为9.8%；16Gb MLC的价格从5.05下跌至4.91美元，跌幅2.8%；32Gb MLC从11.22下跌至10.93美元，跌幅2.6%。