DRAM 五月上旬合约价，主流1GB成功上涨10%；NAND Flash品牌厂商1Q08营收排行

DRAM 五月上旬合约价，主流1GB成功上涨10%

在第一季财报公布后，韩系DRAM厂海力士(Hynix)在产能调整下，第一季DRAM比特销售率仅成长5%，而欧洲DRAM厂奇梦达(Qimonda)第一季DRAM比特销售率为负9%。华亚科(Intotera)也在转进70nm中，产出成长平缓。虽然日系厂商尔必达(Elpida) 第一季产出高达33%，但其DDR2客户主要为数家大模块厂，而非计算机系统厂商(PC OEMs)，使得DRAM的产出在合约市场供给呈现吃紧。加上市场预期DRAM价格落底讯号形成而不断拉高库存，造成四月份现货颗粒价格大涨，自三月中至五月初，品牌颗粒DDR2 1Gb 667MHz由1.91美元上涨至2.16美元，上涨了11.3%，DDR2 1Gb 677MHz eTT更由1.6美元涨至2.04美元，大涨约27.5%。

在DRAM合约市场供给趋紧，DRAM现货价大涨及DRAM 512Mb合约价与现货价于去年12月初皆跌破1美元，长达5个月价格都低于1美元。DRAM厂终于在四月下旬成功调涨合约价3-5%，再于5月上旬成功调涨10%。在返校需求备货旺季即将来临，DRAM厂大减资本支出、停止扩产下，DRAM厂乐观期待合约价1GB能续涨至23美元( 2.5美元/1Gb )。

上周DRAM现货市场的颗粒价格在大涨后，呈现平稳的价格走势，涨跌之间约只在1%左右的幅度，DDR2 eTT 512Mb与1Gb价格分别守在约0.99美元与2.02美元左右。现货颗粒价格有盘坚向上的趋势。虽然力晶、尔必达eTT产出量在瑞晶产能开出下持续增加，但市场需求增温，eTT价格涨幅远超过品牌颗粒。

根据集邦科技统计，以现货市场四月份的DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT现货颗粒的最高与最低价格来分析，DDR2 512Mb eTT为1.0美元与0.83美元，DDR2 1Gb eTT为1.68美元与2.04美元，分别上涨了20.5%与21.4%。而在品牌颗粒的部份，DDR2 667MHz 512Mb 为1.01美元与0.93美元，DDR2 667MHz 1Gb 为1.94美元与2.16美元，分别上涨了8.6%与11.3%。由市场面来观察，DRAM价格筑底完成及对于未来价格持续上涨的期待是带动现货价格上涨的主要因素。

DRAM厂泛集团化态势确立，共享技术与资源，降低成本提升竞争力

自2006下半年开始，因为产能过度扩张导致严重供过于求，DRAM颗粒价格一泻千里，甚至跌至变动成本仍久久无反弹契机。DRAM厂在长达一年亏损下，为求在产能或技术继续发展，纷纷形成新的结盟。

以目前的竞争态势来分析，以尔必达(Elpida)为首的联盟，主要成员包含了力晶(PSC)、瑞晶(Rexchip)外，并有与联电(UMC)在大陆合资的和发科技，此外，尔必达(Elpida)与奇梦达(Qimonda)也将共同开发40nm以下的新技术。另一就是美光(Micron)与南亚(Nanya)、亚美(MeiYa)的联盟，美光(Micron)堪称拥有业界极佳的颗粒设计能力，配合南亚(Nanya)与亚美(MeiYa)的量产能力，都将有助于整体市占率的推升。

而以技术面来观察，无论是技术授权或共同开发，都将大幅缩减开发时间降低成本，提早进入量产提升竞争力，如与尔必达(Elpida)技术授权的力晶(PSC)，在切入65nm的速度就领先了其它台系DRAM厂，成本上更有机会在今年年底可以损益平衡。而属共同开发的美光(Micron)与南亚(Nanya)及尔必达(Elpida)和奇梦达(Qimonda)深知未来的技术开发投注的金额将与日剧增，甚至50nm以下会动用到浸润式(immersion)的技术，开发费用上将不是目前技术可以比拟的。

除非大如龙头三星(Samsung)可以独立开发并走自己的路外，其它DRAM厂都将势必走向联盟之路，独立于联盟之外的厂商都将面临严峻的考验，茂德(ProMOS)与华亚科(Inotera)终将选择最佳的联盟去面对下一波的挑战。

NAND Flash品牌厂商1Q08营收排行

由于次贷风暴的延烧及淡季效应的影响，使得1Q08 NAND Flash供过于求的缺口情况更形扩大，NAND Flash平均价格比4Q07下跌约35%，虽然整体品牌NAND Flash厂商的1Q08 比特出货量比4Q07约成长30%，但品牌NAND Flash厂商1Q08的整体营收表现仍比4Q07下跌了15.8%，成为3.24bn美元。

就1Q08 NAND Flash 品牌厂商营收排行而言，Samsung再次蝉连冠军，Toshiba & Hynix仍分居二、三名，其次为Micron, Intel, STMicro 与Renesas/PSC，1Q08 Top 5 NAND Flash品牌厂商的总市占率达96.8%。

Samsung 1Q08 NAND Flash营收市占率比4Q07下跌为39.6%，但仍再度居于NAND Flash品牌厂的龙头地位，虽然新的51nm制程产品比重已明显增加，但受到NAND Flash价格大幅下跌的影响，1Q08营收比4Q07下跌18.7%成为1.28bn美元。

Toshiba 1Q08 NAND Flash营收市占率比4Q07上升成为26.4%，仍居于NAND Flash品牌厂的亚军地位，由于Toshiba 56nm制程产出量顺利，出货比重明显提升，因此抵消了NAND Flash的价格大幅下跌的影响，使得1Q08营收呈现与4Q07持平成为855m美元。

Hynix 1Q08 NAND Flash营收市占率比3Q07下滑成为17.5%，仍居于NAND Flash品牌厂营收季军地位，由于Hynix降低NAND Flash的产出量，因此1Q08比特出货量QoQ仅成长9%，但在NAND Flash ASP的 QoQ下跌了39%的影响下，1Q08营收比4Q07下跌29.1%成为569m美元。

Micron & Intel在1Q08随着50nm制程的产出比重增加,位出货量持续稳定成长, 但仍受到NAND Flash价格下跌的影响，使得他们的1Q08营收仍比4Q07下跌，Micron & Intel 1Q08营收分别达到$248m美元及$181m美元，Micron & Intel的1Q08市占率也分别为7.7%及5.6%。

STMicro 1Q08主要出货以手机应用的NAND Flash为主，1Q08营收受到价格下跌的影响较小，营收比4Q07小幅下跌6.6%成为85m美元，1Q08市占率成为2.6%。另外Renesas 1Q08仍持续进行AG-AND Flash的减产计划，因此Renesas/PSC阵营1Q08营收比4Q07下跌了60%，市占率为0.6%。

NAND Flash上周现货价格回顾

集邦科技将4/28和5/5的各容量的NAND Flash颗粒现货收盘价做一比较：1Gb SLC价位从1.84下跌至1.79美元，跌幅2.7%；2Gb SLC从2.71微幅上涨至2.72美元，涨幅0.4%；4Gb SLC从3.83下跌至3.74美元，跌幅2.3%；4Gb MLC从2.02下跌至1.99美元，跌幅1.5%；8Gb SLC从7.63下滑至7.59美元，跌幅为0.5%；8Gb MLC的价格从3.36下滑至3.35美元，跌幅为0.3%；16Gb SLC价格持平；16Gb MLC的价格从5.39下跌至5.25美元，跌幅2.6%；32Gb MLC从11.60下跌至11.40美元，跌幅1.7%；64Gb MLC从23.94下跌至23.62美元，跌幅1.3%，部分价格呈现下跌的趋势。