上周现货市场成交量清淡，DD2颗粒价格仍在区间波动，静待旺季需求来临；Samsung Mobile Solution Forum 揭橥新一代手机应用趋势与科技；旺季需求可期，但仍有隐忧存在

上周现货市场成交量清淡，DD2颗粒价格仍在区间波动，静待旺季需求来临

受到DRAM传统淡季的影响，上周现货市场仍延续之前的价格走势，无论是DDR2 eTT 颗粒或原厂的DDR2颗粒，价格仍旧在小区间上下徘徊波动。

以5/27-6/2的价格来分析，现货eTT颗粒方面，DDR2 eTT 512Mb和DDR2 eTT 1Gb的收盘价为0.98美元与2.01美元，涨幅分别为0.0%与1.5%；而品牌颗粒的部份，DDR2 667MHz 512Mb和DDR2 667MHz 1Gb收盘价为1.02美元与2.13美元，跌幅为0.0%与0.9%。

由市场面来观察，虽然DDR2颗粒的部份，2美元已经视为目前颗粒价格的底部而有支撑，但现货市场普遍仍以观望的态度来应对，未看到需求前绝不轻易买货，导致市场交易量持续低迷。随着第三季的返校行情逐渐增温与六月台北国际计算机应用展举办在即，待需求面正式落底后，有机会带动DRAM颗粒价格的上扬。

Samsung Mobile Solution Forum 揭橥新一代手机应用趋势与科技

三星于2008年5月26日在台北举办第五届Samsung Mobile Solution Forum，现场展示各项关于手机应用的最新科技，三星计划持续扩增其于手机相关应用的投资比重，并预期下一阶段商业与消费性电子产品与手机的相关应用在未来十年内将会达到新的高峰。针对手机的各项解决方案，三星分别针对Mobile TFT-LCD、Mobile DDI、Memory、Application Processor、Mobile TV与Image提出各项解决方案。

就整体Mobile市场而言，三星指出了几项发展趋势：第一、高阶智能型手机逐渐进入主流市场，自2007年至2010年CAGR为52%，到2010年出货数量可望达到422M台，约占整体主流市场的1/3；屏幕显示技术方面，低能源消耗、高画质、大屏幕但体积轻薄与友善的使用者接口成为屏幕显示技术的开发关键；最后，随着各项功能逐渐整合于手机，拥有更多容量的储存内存将成为手机储存的必要条件。

三星预测，未来各种功能整合集中于手机的趋势将会加速呈现，而目前各项产品胜出的关键在于何者能够提供对终端使用者简便的使用接口设计，同时能与半导体技术的最新研发加以结合。在这场发表会中，Samsung并针对手机的发展趋势发表专题演说，指出消费性电子产品的发展概念已经被广泛地整合至各项无线传输的发展架构下，对于手机开发与数字消费市场(Digital Consumer Market)而言，应该结合最新IT传输科技并创造符合消费者使用习惯的商品，三星针对Mobile提出的创新将分别从内存、system LSI与Flat Panel LCD Screens等三方面加以实行。

在各项展示中，三星提出多项手机发展的关键性指标与趋势，并点出未来手机将面临的挑战，现场并同时展出各项技术于PDA、手机、ODM产品及与手机相关产品的实际应用。针对手机市场，三星开发出世界第一颗IGB Mobile DRAM、300MHz Mobile CPU的SiP(System-in-Package)、qVGA Resolution、one-chip display driver IC、260K color DDI for AM OLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)以及一颗针对MP3播放器开发的2.5吋qVGA TFT-LCD。

而随着NAND Flash生产技术的快速发展与价格的下降，也为NAND Flash于手机储存内存应用带来新的商机，并触发其于各项与手机结合的多媒体运用，针对NAND Flash的运用，三星提出OneNAND Flash Memory与Flex-OneNAND，其中OneNAND读取的速度较一般NAND Flash快4倍，写入速度则较NOR Flash快34倍；而Flex-OneNAND由MLC 与SLC NAND Flash组成，同时具备MLC与SLC两者的优点。若将OneNAND与LB NAND比较，LB NAND读写速度为31.3 MB/s与13 MB/s，而OneNAND则达到了108 MB/s与17 MB/s。moviNAND (eMMC)则将MMC控制芯片与MLC NAND Flash结合，可与JEDEC标准共通，且提供各项整合应用的便利性。

最后，三星在会场展出256GB MLC-based SSD，搭配SATA II 接口。据三星指出，该款SSD为目前世界上容量最大读写速度最快的SSD，读写速度分别达到200 MB/s与160 MB/s，预计将于2008年9月开始进行试产，2008年底开始投产，一旦正式问世，将成为目前容量最大、速度最快的SSD产品。

整体而言，整合各项包含MP3、数字相机、上网功能与导航装置的高阶智能型手机将成为市场主流。在手机内存储存上，则是部分采用内建内存搭配外接记忆卡扩充容量的装置将成为市场主流。目前各项既有产品中，如何提供消费者更友善的使用接口与更有效率的能源使用将成为胜出的重要关键。

NAND Flash上周现货价格回顾

集邦科技将5/26和6/2的各容量的NAND Flash颗粒现货收盘价做一比较：1Gb SLC维持平盘；2Gb SLC从2.83微幅下降至2.80美元，跌幅1.1%；4Gb SLC从3.61美元下跌至3.52美元，跌幅2.5%；4Gb MLC从1.90下跌至1.85美元，跌幅2.6%；8Gb SLC从6.95下跌至6.90美元，跌幅为0.7%；8Gb MLC的价格从3.07下跌至2.74美元，跌幅为10.7%；16Gb SLC价格从16.35下跌至16.07美元，跌幅为1.7%；16Gb MLC的价格从4.83下跌至4.47美元，跌幅7.5%；32Gb MLC从10.98下跌至10.43美元，跌幅5.0%；64Gb MLC从22.33下跌至20.59美元，跌幅7.8%，整体价格呈现下跌趋势。

旺季需求可期，但仍有隐忧存在

DRAM价格从2007年初在供过于求情况下，一路下滑至今1Gb颗粒价格维持在2美元上下波动。低迷的价格让PC内存搭载容量由256MB一路上升至1GB，多数的通路商亦以内建1GB内存另送1GB为促销卖点，大幅提高DRAM的使用量。

然而国际市场各原物料价格持续上涨，带动NB零组件成本上升，加上中国新劳动合同法上路，使得业者成本节节升高。因此NB代工业者近期纷纷提出就下半年出货之新机种调涨其代工价格，而品牌厂商在确保优先供货权之下，史无前例接受涨价。

品牌业者接受涨价，除了反映原物料吃紧之外，也表示对下半年市场旺季的乐观态度，因此愿意以涨价换取供货无虞。此次涨幅每台幅度约5至20美元，增加的成本对整机FOB价格比重并不高。对品牌厂商而言，仍有能力在不反映最终售价情况下因应，例如调整产品零组件规格的配置或经销通路的毛利。

若业者采取上述两种方法，将可能影响DRAM旺季需求的成长性。业者利用DRAM价格便宜，做为加量不加价的营销方法，在成本此消彼长情况下，可能取消这样的优惠或直接降低内存搭载容量，以吸收其它原物料增加的成本，为下半年DRAM的消耗量投下不确定因子。