现货价低于合约，OEM开始涉入；Micron Memory Day —勾勒美光对未来NAND Flash产品的发展愿景

现货价低于合约，OEM开始涉入

伴随欧美市场第二季 PC出货可能低于预期，及三星回收问题产品新闻影响，市场担心该批产品可能流入现货市场造成多余供给，上周DRAM现货市场走势相对弱势，DDR2 eTT 1Gb价格一度跌破2美元，均价一周内高低差达5%，为近期少见跌幅。此波下跌属短线利空导致，市场对DRAM后市仍看好，纵使开始下跌时成交量不大，跌至2美元以下强劲接手买盘浮现，使价格在此止稳。现货指标DDR2 eTT 1Gb五月至今维持在2美元以上盘整。

在合约市场方面，几家主要OEM大厂在五月已将价量谈定，纵使近期PC需求略低于预期，五月未谈的较小OEM厂此次仍须接受DRAM原厂涨价。根据集邦科技调查结果，合约均价在六月下旬持续上涨约2.3%。不少DRAM厂表示，目前供应仍然吃紧，对于客户的订单无法完全满足。后续PC需求是否会低于预期，及目标下修程度，将是决定尔后DRAM价格上涨幅度的主要因素。

此波DRAM涨势由合约价带领现货价上涨。以目前合约价推算，由22美元的1GB与44美元的2GB模块换算，1Gb颗粒价格为2.38及2.56美元，较品牌1Gb颗粒现货价格2.1美元高，比1Gb eTT价格分别高17%与27%，迥异于过去由现货价带动合约价上涨的型态。造成此一现象主因，在于某台系代工厂产能在07Q4与08Q1大幅开出，造成现货市场供给增加。加上三月份模块厂陆续趁低价买进现货，提高库存水位，导致后续买盘力道减弱，1Gb eTT价格大致在2美元附近盘整，无法跟上合约价位。也因现货价格低于合约价格，部分OEM近期开始与以现货为主的两家DRAM厂接触合作，一旦顺利，未来现货供给多了出口，价格上涨压力将减轻。

Micron Memory Day —勾勒美光对未来NAND Flash产品的发展愿景

美光(Micron)于2008年6月10日首次在台北举办Memory Day，除了发表内存最新技术进程外，也提出其对市场的看法，除了目前已量产50nm的产品外，4Q08也将开始提供34 nm NAND Flash芯片。

美光于Memory Day中宣布目前已经成功以34nm生产32Gb NAND Flash闪存，并宣布将积极布局高容量SSD市场，容量介于32GB到128GB间。美光认为SSD具有极佳的潜力，将是未来NAND Flash终端产品最大的应用之一，因此积极投入，希望在未来站稳市场。

目前美光客户的主要来源，美洲占32%，EMEA占12%，而亚洲则超过半数达到56%，亚洲超越美洲成为最重要的市场，并具有持续成长的潜力。在制程上，美光也拥有一定的优势，根据Patent Board对半导体专利积分评比，目前美光创新专利排名全球第二，仅次于Intel，而美光也与Intel建立良好合作关系，与Intel合作开发High-Speed SLC NAND的技术，目前美光Monolithic 50nm产品已采用MLC技术制作8Gb与16Gb产品；1Gb、2Gb与4Gb则使用SLC技术芯片，8Gb则采用High-Speed SLC产品。Q408美光将会开始供应34nm制程16Gb的SLC芯片及32Gb的MLC芯片，到了2009年与2010年时，则将会推出30nm以下，容量高达32Gb SLC及64Gb MLC的芯片。

美光预估2008年全球NAND Flash市场将达到254亿美元，除了目前一般MP3/PMP、UFD、记忆卡等应用，也相当看好行动储存市场的潜力，因而提出了相对应的整合型产品，如「e-MMC」与「real SSD」来满足市场需求，e-MMC(Embedded Multi-Media Card)结合8颗NAND Flash Die及MMC controller于单一装置中，厚度为1.47mm，未来将薄至1.2mm，e-MMC具有整合软硬件的简易性，能够加速处理速度，降低目前及未来NAND装置设计的复杂性，同时亦可纳入MoviNAND和其它e-MMC的解决方案，目前e-MMC容量介于1GB至32GB间，可以广泛运用于Smart Phone、PDA、MP3 Player与数字摄影机，2008至2009年以34nm提供32GB容量的产品，2009至2010年则将以2xnm提供64GB的产品。

美光也看好SSD市场前景，2008年SSD市场规模为9.59亿美元，2012年将上看44亿美元，达到目前5倍的规模。针对SSD市场，美光也提出相关解决方案：REAL SSD Embedded，采用SLC NAND Flash，提供包含1、2、4、8GB的不同容量，读写速度分别达到31MB/s与21MB/s；而REAL SSD Client(C200)则采用MLC NAND Flash、SATA接口，读写速度分别达到200MB/s与120MB/s；REAL SSD Client(C100)则使用SLC NAND Flash、SATA接口，读写速度分别达到65MB/s与35MB/s；REAL SSD Performance(P200)使用SLC NAND Flash、SATA 接口，读写速度分别达到250MB/s与250MB/s，产品兼具有轻量与节能的功能。基于对市场的高度期望，美光已展开积极布局。

虽然IM Flash 阵营目前已宣示将于4Q08投产34nm NAND Flash，但其它NAND Flash大厂针对未来Flash技术与产品也分别提出规划，Samsung将于2H08投入51nm 3-bit/cell MLC的生产，并于2H09由42nm提升到3Xnm制程技术来生产MLC或TANOS的Data FLASH；Toshiba & SanDisk阵营预计于1H09将会开始生产43nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，并于2H09由43nm提升到3X nm NAND Flash的制程技术；而Hynix & Numonyx阵营则将于1H09由48nm提升到41nm的制程技术来生产NAND Flash，同时Hynix也将于2H08投入48nm 3-bit/cell MLC的生产，因此未来将形成Flash技术上的良性竞争，为业界带来更多的创新成果。