DRAM：合约价格稳定趋坚，但现货与之仍有价差；NAND Flash：受季底及淡季效应双重冲击，价格呈现下跌走势

合约价格稳定趋坚，但现货与之仍有价差

现货市场处于淡季，成交量低迷乃为正常状况，然现货价与合约价近期呈现反向走势，实较为少见。此波现货价格没跟上合约价上涨，DDR2 eTT 1Gb现货均价反自六月高点2.15美元下跌至6/30的1.97美元，跌幅约为8.4%。纵使合约价在六月呈现缓步垫高走势，原厂在合约市场出现供给吃紧状况，然现货价自六月中旬却径自走跌，至上周才止跌回稳。

现货市场之所以如此，可分供需两方因素加以说明：供给方面，瑞晶今年以来拉高产出，使现货市场供给量增加；在需求方面，对DRAM现货价颇具影响力的中国市场，由于奥运举办在即，近期中国相关部门对货物通关转运安全检查转严，导致商品流动效率下降，部分原应供给至中国的现货因而递延入关。而这些未能如期进入中国的商品，在市场上流窜造成价格疲软，甚至使市场怀疑价格疲软是否肇因于实质需求不振。另外，六月底适逢部分DRAM厂财报季底，现货买家对原厂是否因作帐压力而释出库存产生疑虑，亦使得买方收手观望。

DRAMeXchange认为，上述几个原因中，瑞晶投片量大幅增加时间在1Q至2Q08，2Q08产能达满载，3Q再增加的幅度有限；中国方面，只要不是实质需求不振，奥运后DRAM供需透过市场机制将再趋正常；至于季底作帐因素，至今亦告一段落。另外目前合约高于现货的价差，使OEM采购触角延伸至原以现货市场及模块厂为主要供应对象的DRAM厂，待认证通过，当采购量足够时，将有助于现货市场供给消化。基于上述理由，除非需大幅低于预期，现货价下跌空间有限，未来再回档或盘整后，预期将继续上涨，1Gb eTT指标颗粒向上将有10至20%上涨空间。

六月NAND Flash价格回顾 -- 受季底及淡季效应双重冲击，价格呈现下跌走势

肇因于国际原油价格居高不下，通货膨胀率上扬导致实质购买力下降，全球经济疲弱不振，不论在已开发国家或新兴市场对于消费性电子产品的需求持续下跌，而此举也导致六月份NAND Flash颗粒价格持续往下，不论在合约价格或现货市场皆呈现下跌的趋势。以8Gb MLC现货平均价格为例，6月初价格为2.74美元，于6月9日小跌至2.68美元后即呈现持续下跌的态势，最终于6月30日跌至2.28美元；再从合约平均价格分析之，结束4月份缓升阶段后，5月初即开始呈现缓跌态势，6月份价格跌幅拉大，价格自5月底的3.26美元下跌至6月中的3.16美元，6月底更跌至2.38美元。

NAND Flash颗粒价格持续向下的原因，DRAMeXcahnge认为：第一，传统淡季效应持续，买方缺乏有利的购买诱因，对于第三季市场需求的了解也呈现模糊局面，下游厂商多不愿意增加存货水位；复之以全球原油价格攀升，导致于消费者信心疲弱，对于消费性电子产品需求，不论是新品购买意愿或旧机汰换速度皆呈现下降的情况；第三，6月底适逢第二季季末，为了避免存货过多影响公司财务表现，卖方为了出清存货，在价格上多愿意采取减让态度。此外，消耗NAND Flash产出达60%以上的记忆卡及UFD整体需求明显下降，与对未来总体经济局势并不乐观，刺激消费性电子产品需求增加的诱因并不明显，因而导致6月份NAND Flash价格不论在现货或合约皆呈现下修的局面。

而随着下半年逐渐步入需求旺季，复之以Apple对于3G iPhone与全球电信业者合作采取低价策略，下半年Apple iPhone全球销售量可望达到1200万支，对于NAND Flash的去化有一定帮助；此外Low Price PC市场逐步成型，2008年出货量可望达到800万台，皆为NAND Flash价格回稳注入强心剂，随着 2H08的旺季需求逐渐回温,NAND Flash价格也可望于3Q08中开始逐渐止稳回升。

六月下旬合约价格评述 2H June Contract Price Recap

六月下旬NAND Flash平均合约价下跌约5-25%，主要原因为目前已接近季底，NAND Flash供货商采取策略性降价促销的行动，以降低库存水位以及刺激近期较低迷的NAND Flash市场买气，由于此次降价幅度较大，且伴随7月中旬后 3G iPhone、smart phone与 Low-cost PC新机种陆续推出的激励下，预期NAND Flash价格可望随着传统2H旺季的需求回温而逐步止稳回升。