台湾DRAM封测产业之分析；NAND Flash:观望气氛中买气及价格俱显疲软，期待传统旺季来临

台湾DRAM封测产业之分析

随着DRAM产业自2007年的位成长率高达94%，市场供过于求的情形超乎预期导致价格严重下滑，DDR2 512Mb与 1Gb价格分别下滑了86%与70%，甚至逼进了变动成本，而台湾DRAM封测产业虽然表面上享受到颗粒产能大幅度的增加而接到比以往更多的订单，但也因为颗粒价格的大幅滑落而必须与DRAM原厂共体时艰，除了封装成本往下调降之外，测试时间也必须缩短，再再挑战封测厂的应变能力。

面对这一波的DRAM颗粒价格大幅滑落，台系封测厂商也必须与台系DRAM原厂一般策略联盟，以确保订单无虑，再谋求彼此间最大的利益。如力成(PTI)有尔必达(Elpida)与金士顿(Kingston)的加持，产能持续开出红盘，日月鸿(PowerASE)也不遑多让，随着瑞晶(Rexchip)的产能持续开出与65nm的正式转进，接单量也比以往增加，再者福懋(FATC)也伴随着华亚科(Inotera)的良率大幅提升，从南亚(Nanya)过来的订单也有与日俱增的趋势。而没有DRAM原厂支持的封测厂商，势必面临订单量缩的不确定性与价格竞争的压力(Figure-1)。

现阶段台系封测厂概况分析

从封测厂的资本支出来分析，约60%的资金会投注在测试设备上，40%的资金会用在封装设备与材料成本，具市场人士表示，封装设备因为成本较低且DDR2与DDR3的颗粒封装皆可使用，因此不用担心日后升级的问题，而测试设备方面，因为DRAM厂皆以缩短测试时间的方式来降低颗粒成本(DDR2 1Gb eTT的测试时间已降至原DDR 512Mb eTT 的200-300秒)，测试机台闲置的问题已陆续浮现在封测厂当中，为了解决测试产能闲置的问题，各家无不积极寻找新的合作伙伴与商品，逻辑IC与MCP制品已是各家封测厂的兵家必争之地，如力成(PTI)就积极拉拢尔必达(Elpida)的MCP商品可以转进力成工厂测试，硅品(SPIL)也积极与逻辑客户洽谈中，南茂(Chipmos)也早已转进CMOS制品的测试，各家除了可以充分利用测试产能外，也希望可以把DRAM封测的业务比例降低，降低营运上的风险。

关于DDR3颗粒测试方面，虽然DDR3迈入主流的时间点约在一年后，但随着DRAM原厂对于DDR3颗粒量产持续增温中，封测厂本身已经在考虑DDR3测试机台的采购需求。根据目前JEDEC协会所制定的DDR3的规格，速度在800Mhz-1600Mhz之间，以目前广为测试厂所使用Advantest的T5593为例，测试频率仅能到1066Mhz，原有测试机台已无法满足DDR3颗粒测试所需，需要更高频率的测试就需要新购机台来因应，就现有测试机台中，能够支持到高频率的测试机台分别为Verigy的V93000 HSM系列与Advantest的T5503机台(Figure-3)，速度分别支持到3.6GMhz和3.2GMhz，足以应付现在DDR3颗粒测试的需求，但因新机台的采购价格约在1.5-1.7亿台币(约500-570万美元)左右，使得DRAM测试厂投入DDR3测试产能速度缓慢。

观望气氛中买气及价格俱显疲软，期待传统旺季来临

八月上旬NAND Flash合约价格持续下跌走势，主要肇因于市场对NAND Flash需求维持低迷，平均合约价因而持续下跌约5-15%。

探究现阶段市场需求不振的原因，主要因为目前NAND Flash下游业者仍多处于等待北京奥运过后白牌市场补货需求回复，另外暑假过后的欧美及新兴市场买气有机会逐渐回笼，目前市场对第四季市场能见度仍低，因而多数下游厂商对于现阶段备货采取保守观望或延迟采购的因应措施。

由于受到第二季甫结束，上游厂商在第二季末于价格上采取弹性的供货策略，造成目前主要NAND Flash下游厂商处于高库存状态，因而持续采取调降库存策略，整体市场买气因而显得相对薄弱，而目前NAND Flash市场仍处于供给过剩的状态也弱化了市场供需的自我调节机制。

8月上旬的NAND Flash买气仍旧清淡，因而造成合约价格持续走软，以16Gb MLC平均合约价格来看，6月上旬平均合约价格为5.06美元，7月上旬平均合约价格为4.02美元，而8月上旬持续下修至3.24美元，6至8月平均合约价格下跌36%。

NAND Flash市场回温预估将要等到第三季后半传统备货旺季需求上升，从供给面观之，考虑近期Hynix二次宣布调降今年NAND Flash位年成长目标由原来的90-100%到50-60%的行动激励下，NAND Flash合约价格可望随着市场供需情况变得较为均衡后，而于第三季后期有机会逐步展开反弹。