台系DRAM厂财报陆续出炉，创单季史上最大亏损金额！NAND Flash 品牌厂商2008年第三季营收排行

台系DRAM厂财报陆续出炉，创单季史上最大亏损金额！

十月开始随着各台系DRAM厂财报陆续出炉，第三季的亏损随着颗粒价格持续下跌而扩大，力晶、茂德、南科与华亚科分别净损了150亿、87.9亿、87.7亿与40.5亿台币，第三季合计亏损了近366亿，前三季台系DRAM厂共亏了908亿左右。其中台系厂中以力晶与茂德为亏损幅度最高的厂商(Figure-1)，由现货颗粒价格来分析，DDR2 1Gb eTT颗粒价格从七月初的1.95美元下滑至九月底约1.23美元，跌幅达37%，也导致力晶的亏损缺口持续扩大，而仍以DDR2 512Mb 颗粒为销售主力的茂德，DDR2 512Mb eTT亦从七月初的0.97美元下跌至九月底的0.71美元，跌幅达27%，从跌幅比例上来观察虽不比DDR2 1Gb颗粒价格，但因成本结构远高于DDR2 1Gb的关系加上库存跌价损失等因素，也让茂德第三季的亏损大幅增加的主要原因。但值得注意的是十月底DDR2 eTT 1Gb与512Mb颗粒价格再次下滑至1.02美元与0.53美元，与十月初相比颗粒单价又下跌了近15%与25%，预料第四季的亏损金额将会比第三季更为扩大，也让目前现金不断流出的DRAM厂再次雪上加霜。

上周现货市场方面，整体交投量仍十分清淡，上周(10/28-11/03)DDR2 1Gb eTT的价格由1.02美元上涨至1.03美元，涨幅约1.0%，DDR2 667 1Gb价格则由0.99美元下滑至0.98美元，跌幅约1.0%，综观上周市场，唯独DDR2 1Gb eTT颗粒曾小幅上涨至1.04 美元左右，据市场人士表示，主要是某大型模块厂在中国大陆地区欲拉高模块报价以致仿冒品厂商贪图中间的利差而蠢蠢欲动，纷纷从现货市场拉货所致，价格的拉抬实属短期现象，随着市场逐步走入淡季，价格下滑的趋势不变。

NAND Flash 品牌厂商2008年第三季营收排行

2008年第三季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿6千6百万美元，较上一季的31亿1千1百万美元下跌11.1%。第三季NAND Flash品牌厂商营收未见起色，仍持续受到全球整体经济状况不佳的冲击，终端市场对消费性电子产品的需求呈现衰退。而全球消费者信心持续下跌所引起的需求紧缩也导致NAND Flash不论在平均销售价格与营收均呈现双双下跌的走势，需求面的不振也使NAND Flash供过于求的缺口持续扩大，第三季位出货较上一季成长达25%，然平均价格却下跌约30%。

就第三季NAND Flash品牌厂商营收排行来看，Samsung营收为11亿3千8百万美元，市占率为41.1%，蝉联第一；Toshiba营收为7亿9千9百万美元，以市占率28.9%排名第二；Hynix名列第三，营收为3亿9千7百万美元，市占率14.4%；Micron与Intel营收则分居四、五名，市占率为7.8%与5.6%。

以Samsung而言，第三季出货量增加25%以上，然而原先预期的季节性旺季备货需求受到全球性经济冲击影响而转趋平缓，需求面的不振也导致NAND Flash平均销售价格下跌30%以上，市占率与上一季相若仍居于龙头地位。

Toshiba同样也受到消费性电子产品市场需求不振的拖累，出货量虽有增加，然平均销售金额却持续下跌。第三季Toshiba营收为7亿9千9百万美元，以市占率28.9%排名第二，较上一季微幅增加2.1%。

Hynix第三季平均销售金额下跌了23%，出货量也下修了14%，第三季出货量减少主要是由于8吋厂减产，而第三季营收也因此下调为3亿9千7百万美元，较上季下跌幅度近20%，目前Hynix市占率虽维持第三，但仍较上季小幅下跌1.5%。

Micron与Intel也受到平均销售价格下降的影响，第三季Micron出货量虽然增加10%，然平均销售价格下降了20%，也导致了营收较上季衰退了10%，目前Micron专注于制程的改良，致力于34nm良率的提升。Micron与Intel第三季市占率分别为7.8%与5.6%，与上一季大致相同。

Numonyx第三季也受到平均销售价格下跌的影响，营收较上季下跌，第三季营收为6千万美元，市占率约2.2%。