DDR2 1Gb现货颗粒价格续创历史新低价，DDR2 1GB合约价破10美元信心关卡；2009将成3-bit/cell MLC NAND Flash推广年；11月下旬NAND Flash合约价开平盘；左右受制之Atom平台之All in one PC

DDR2 1Gb现货颗粒价格续创历史新低价，DDR2 1GB合约价破10美元信心关卡

虽然近期政府是否要救DRAM市场的议题不断发酵中，也引起各方人士热烈讨论与争辩，但DRAM颗粒的价格终究仍取决于市场的需求，随着全球整体经济环境的恶化与欧美圣诞假期的需求急冻，现货市场方面，DDR2颗粒价格更频创历史新低价，上周(11/18-11/24)DDR2 1Gb eTT的颗粒价格从0.87美元下滑至0.81美元，跌幅达6.9%，从第四季开始仅仅二个月间跌幅高达33.6%，DDR2 667Mhz 1Gb颗粒价格也不遑多让，价格从0.86美元下滑至0.77美元，跌幅约10.5%，截至目前为止的第四季跌幅更高达36.8%。以往在现货市场中原厂颗粒因为经过严谨测试的关系，原厂颗粒价格大都高于eTT颗粒价格，但现今原厂颗粒价格皆低于eTT颗粒价格，显见DRAM原厂的库存压力极大与市场供过于求的情形仍未有效纾解。

而在合约市场方面，十一月下旬的合约价正式跌破10美元信心关卡，DDR2 667Mhz 1Gb与2GB的模块平均价约落在9.5美元与20美元左右，跌幅将近10%，截至目前第四季的跌幅分别为30%与26%，也创下了合约市场有史以来的新低价，11月开始PC市场开始步入传统淡季，加上整体市场需求锐减，合约价不排除继续探底，但下跌空间有限。但值得注意的是，随着低价计算机(Netbook)的出货量节节攀升，甚至2009年华硕与宏碁将有五成与三成笔记型计算机出货皆为低价计算机的情形下，将会抑制住整体平均内存模块容量的上升，无异于让合约市场更雪上加霜，加上整体大环境不佳，将会延缓合约市场价格的复苏之路。

DRAM市场的急遽恶化与严重供过于求，造成DRAM厂的营收下滑与现金不断流出，无论是私募、技术母厂相挺或是政府出手相救，核心竞争力还是DRAM厂的能够生存与否的自救之道，台系DRAM厂纵使无如三星、美光、尔必达等的DRAM核心技术，但台系DRAM厂的大量生产与严密控制成本的能力也是DRAM技术母厂降低成本及扩大市场占有率的最佳战友，如同尔必达与力晶的紧密合作、南科与华亚和美光的技术结盟，皆是看中台系DRAM厂的制造能力，未来DRAM市场将如同三国时代一般形成三强鼎立的局势，由美、日、韩三国主导整个DRAM市场，台系DRAM厂与技术母厂的合作将更为紧密，由技术母厂负责研发并由台系厂制造生产的合作模式进行，与技术母厂唇齿相依、祸福与共，台系DRAM厂绝对是关键性的角色，帮助技术母厂攻城略地。

2009将成3-bit/cell MLC NAND Flash推广年；11月下旬NAND Flash合约价开平盘

目前NAND Flash厂商在进行芯片成本下降的技术研发主要有两个方向：一是将制程技术持续微缩，二是采用单位记忆储存胞的多位化(multi-bit per cell)的设计，过去NAND Flash厂商主要多以制程技术的微缩来进行成本的竞争，过去几年NAND Flash业者是以约每年一个世代的超摩尔定律速度在推进制程技术，因此目前已从90nm→ 6xnm→ 5xnm→ 4xnm发展到准备进入3xnm制程技术的阶段。

2008年随着Toshiba/SanDisk阵营在2Q08量产56nm 3-bit/cell MLC NAND Flash后，NAND Flash厂商也开始朝3-bit/cell MLC的设计方向开发，一般而言以相同制程技术来设计3-bit/cell MLC的单位芯片面积，约可比2-bit/cell MLC的面积再缩小约20-30%以上，因此理论上讲相同记忆容量的3-bit/cell MLC单位芯片生产成本将会比2-bit/cell MLC低，不过由于3-bit/cell MLC的设计复杂度比2-bit/cell MLC高，因此3-bit/cell MLC在生产的良率及芯片性能(performance)及可靠度(reliability)的参数指标都会比2-bit/cell MLC来得较逊色。

目前SanDisk是最积极推广3-bit/cell MLC NAND Flash产品的厂商，Toshiba/SanDisk阵营继领先推出56nm 3-bit/cell 16Gb MLC后，也计划于1Q09量产43nm 3-bit/cell MLC的产品，然后于1Q10量产3xnm 3-bit/cell MLC，预期2009年SanDisk也将会持续扮演3-bit/cell MLC市场推广的推手，其它NAND Flash厂商，虽未有具体的生产时间表，但也都表示将会在2009年中推出各自的3-bit/cell MLC产品，例如：Samsung计划1H09将生产42nm 3-bit/cell MLC ，Intel计划2009年年中将生产34nm 3-bit/cell MLC，及Hynix计划2009年年中将生产41nm 3-bit/cell MLC。

由于3-bit/cell MLC的写入速度及耐久性(endurance)将会随着制程技术的微缩而下降，但是单位芯片生产成本会比相同制程及容量的2-bit/cell MLC低，因此Toshiba/SanDisk阵营初期是把56nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，先用在性能及可靠性要求较不高的UFD及记忆卡低价市场应用上来试水温，该阵营未来也会随着市场的接受度来调整其3-bit/cell MLC的产出比重，目前各NAND Flash厂商也正在开发不同的技术改善方案，想将其3-bit/cell MLC的写入速度及耐久性提高，希望未来也能应用到性能及可靠性要求较高的PC的储存应用领域如：low-cost PCs、SSD的领域，由于目前多数NAND Flash厂商的4xnm & 3xnm 3-bit/cell MLC产品仍处在开发及改良期，所以相关的产品参数仍在调整中，在考虑3-bit/cell MLC产品的良率及性能调整时间以及Flash controller的支持配合进度，我们预期到2H09时3-bit/cell MLC在记忆卡及UFD的低价市场应用才会更普及，预期2010年随着3-bit/cell MLC的性能及耐久性持续改善后，则可望获得消费性电子、手机及PC的低价市场采用。

11月下旬NAND Flash合约价简评

11月下旬NAND Flash合约价大致呈现持平，主因为11月初供货商已经先行采取降价策略，来配合下游客户的年终促销行动，因此下旬价格与上旬价格相若，由于客户对今年年终销售情况抱持较保守的心态，所以对年节的备货量也实行比较谨慎的控制态度，未来的采购量也会视年终销售情况再来做调整，由于NAND Flash价格累计跌幅已大，且下游客户库存水位也降低了，我们预期短期内NAND Flash合约价将呈现持平或缓跌的状况。

左右受制之Atom平台之All in one PC

Intel Atom系列CPU产品专供省电、体积小之PC使用，自从在Netbook打出市场后，Nettop产品于11月下旬相继上市，包括的业者有Asus和MSI。华硕E-TOP配备15.6吋的屏幕，规格与Eee PC相去不远，1.6 GHz Intel Atom CPU、1GB的内存、160GB的硬盘、一个视讯镜头、以及Windows XP，报价台币18,900元。

微星方面，推出Wind Neton M19和M16，前者是18.5吋屏幕，后者是15.6吋屏幕。M16最低阶规格会采用Atom处理器，售价会从399美元起跳，2009年第一季陆续上市。

All in one概念在PC领域并非新产品，如Apple和日系业者，皆有相关产品持续推出，差别是其CPU采用的是主流规格，而相对价格定位都在高阶市场。例如Sony VAIO系列最新之「VGC-JS15T」产品，其搭载Intel双核心DT CPU E7200，1680 x 1050高分辨率的20.1吋液晶屏幕，强调影音娱乐应用。售价为台币44,800元。

就Atom平台之前之all in one PC市占率一直有限，其高价定位，且无法自行变更，或主机与屏幕寿命不能同步情况下，皆让消费者购买意愿不高。而今因Atom平台推出，让All in one产品有机会走入平价市场，为其扩张市占率打开一线希望。

然而比较现行入门级桌上型计算机性价比，以及Netbook的取代性，可能又限制了all in one产品发展性。以华硕易PC为例，规格接近之下，若另加购19吋屏幕，约台币20,000至23,000元，与ETOP价格相去不远，却可兼顾移动性之方便性，而若是屏幕加入门级DT，价格台币15000元有找，故在市场定位上，Nettop产品与DT比较的是主机与屏幕的总成本考虑，与Netbook比较的是移动性与成本，可见Nettop在市场空间上，左右受制情况高于Netbook。