台系DRAM厂面对未来挑战的策略新局

台系DRAM厂面对未来挑战的策略新局

标准型DRAM合约价在2007年初因供过于求开始急跌，全年YoY跌幅达83%。2008年，DDR2全年均价YoY再下跌30%。各家DRAM厂在08年第四季由于营运现金部位不断下降，资本市场募资不易，面临退出或接受政府纾困的困境。今年第一季，台系DRAM厂产能稼动率甚至降至20%-50%。在第二季景气逐渐复苏下，DRAM合约价格DDR2 1Gb也由去年年底最低点0.75美元上涨至九月下旬的 1.7美元，价格由几乎跌破厂商的材料成本涨至现金成本以上，预估在今年下半年，DRAM厂在DRAM营运方面皆可产生营运现金净流入。

在经历长达两年多的景气下跌，台系DRAM厂也于今年初积极布局，力图从不景气中走出新方向。目前，除了南科、华亚科在富爸爸台塑大力支持下，与美光展开合作，持续在标准型DRAM技术转进；力晶、茂德、华邦都展开不同的布局规划。

南科、华亚科集团

在08年3月与美光签订技术合作备忘录，并于08年10月在台塑集团协助下，美光正式取得华亚科36.5%股权，取代原奇梦达于华亚科持股。而在台湾方面表态要协助台湾DRAM厂及金融风暴下资本支出大减，南科、华亚科暂缓原订美光技术转移的时程。今年三月中，政府推出TMC方案，在与美光取得共识后，四月中，南科、华亚科、美光共同声明不加入TMC联盟。四月十七日，南科董事会通过减资311.78亿元、幅度达66.43%，减资后，再透过私募与现金增资两种方式增资，上限80亿股，台塑集团全力支持南科增资。目前，南科已移入两台浸润式微影设备，预计明年第一季加速转进美光50奈米制程，而华亚科也已移入一台浸润式微影设备，预计明年陆续移入3-5台。在转进美光50奈米制程后，南科、华亚科的DDR2/DDR3 1G生产成本将由奇梦达70奈米的$2.5美元降至$1.5美元或更低。若明年DDR2/DDR3 1G均价维持在$1.5以上，南科、华亚科将可摆脱长期亏损而转为获利。

力晶、瑞晶集团

今年三月，在力晶出售部份瑞晶持股与技术合作厂商尔必达。瑞晶正式成为日商尔必达子公司。原本的产能分配协议自今年三月后暂改为,瑞晶产能全数转给尔必达，力晶旗下产能不再分配与尔必达。对尔必达而言，原本自瑞晶取得一半产能及力晶四成产能的颗粒产出，相等于目前取得的瑞晶产能的总产出。对力晶而言，则可全盘规划掌控旗下的产能，而且不需再以低于市价的价格出货与尔必达。今年第一季，力晶旗下12吋厂P1、P2、P3总产能13万片，投片月平均仅达3万片，产能稼动率低于3成。而在价格回升，旺季需求增温下，第四季投片将达10万片，产能稼动率接近8成。在力晶目前最新的策略布局，预计在2010年，P1以代工单为主，P2生产标准型DRAM，技术转进随尔必达进度转进60奈米 Buried Wordline,进而40奈米，P3则开始量产NAND Flash。力晶于NAND Flash设计、研发、制造已耕耘多年，06年取得新竹用地P4、P5原计划生产NAND Flash。

目前力晶已以70奈米量产4G MLC，计划明年上半年量产50奈米8G MLC，下半年导入40奈米16G MLC。但以NAND Flash生产所需的技术、资金的挑战更甚于DRAM，力晶是否能顺利量产，进而以NAND Flash填满P3产能，市场认为后续值得观察。然而，在NAND Flash持续短缺下，甚至明年由于三星、东芝、美光产能可能维持不变或仅小幅度增加，3X奈米制程的转进限于良率也难以大幅提升，预估NAND Flash明年将持续短缺。在今年NAND Flash短缺时，三星为满足系统客户的需求，对二线客户供给大减，几家内存卡厂商如金士顿、创见皆面临供给缺口。因此，据悉，力晶已有NAND Flash记忆卡大厂表示愿出资给力晶买进设备及技术研发。若力晶成功量产NAND Flash约3-4万片，则明年产能稼动率将达100%；营运方面，不仅在今年第三季已产生营运净现金流入，明年更有可能转亏为盈。

茂德

今年2月，在银行团通过借款及政府的协助下，茂德与海外无担保可转换公司债持有者完成协商，并顺利的以原金额的20%-25%收购在2月14日到期的110亿海外无担保可转换公司债，度过营运危机。

在低现金水位下，茂德现在产能稼动率维持在20%-30%左右，上半年投片产出以消费型DRAM(DDR1)为主，但随着近期DDR2价格急速攀升，第三季末投片已转为DDR与DDR2各半的状况。预计第四季，产能稼动率将拉至近40%。对于未来的产能规划,茂德正积极与潜在客户洽谈，据悉潜在客户包括:尔必达计划明年第一季开始，在茂德下单2万至3万片的DDR2/DDR3。某DRAM模块大厂也在DRAM短缺下，要求茂德生产近1万片的DDR2 512M供货。九月成立的TIMC(台湾创新内存公司)目前以茂德中科厂为研发生产基地，另外也洽谈2万片的编码型闪存(NOR Flash)。若明年景气好转，茂德顺利接获以上大单，产能稼动率将达8成以上。

华邦电子

华邦电子，在今年七月份与国内九家银行签订三年期新台币三十七亿元联合授信案，此联贷案之资金用途主要为偿还今年度到期之长期负债及充实营运资金，且其在今年第二季开始，现金流量方面转为现金流入，因此在营运资金方面，目前不虞匮乏。

在产能利用率方面，由于利基型内存需求大增，从第二季开始，华邦产能已处于满载的状况。华邦目前规划将逐步减少标准型内存的产量，同时增加利基型内存，编码型快闪记记体及行动应用内存的产出及进入绘图内存市场。绘图内存产品(GDDR3), 预计在今年第四季可量产。将承接尔必达采用奇梦达内存技术的代工订单为主，之后华邦将朝向自主开发与代工同时并进。