2010年NAND Flash市场将出现缺货的状况

2010年NAND Flash市场将出现缺货的状况

就NAND Flash需求面而言，随着全球经济可望在2010年复苏，我们预期明年各种NAND Flash的终端应用产品的出货量，也将由今年的衰退转变为成长的情况。同时明年MP3、记忆卡及UFD等的NAND Flash的传统应用产品的内建容量，也将会持续提高。此外一些新的应用领域也将为NAND Flash市场带来新的成长动力，例如：智能型手机的出货量将持续成长且将搭配更高的NAND Flash内建容量，此外供货商也将更积极的推广SSD在各种计算机相关的应用领域。因此我们预估2010年全球 NAND Flash需求的位产出将比2009年成长81% yoy达到10986 M GB。

就NAND Flash供给面而言，虽然全球经济可望在2010年逐渐复苏，但目前多数NAND Flash供货商仍多处在由亏转盈的阶段，多数供货商将以2010年市场需求的成长率来做为他们明年产出成长目标的参考，已使NAND Flash市场能维持在较平衡的状态来稳定价格及改善获利性。因此供货商目前对明年的扩产计划仍多倾向保守的态度，预期2010年NAND Flash晶圆总产出量将仅比2009年小幅增加，因此明年的资本支出仍将会以制程技术升级的用途为主。由于多数供货商于4Q09才逐渐增加3xnm制程技术的产出量，因此预期多数供货商量产2xnm制程技术的时程也将会落在2H10中。另外多数供货商也是自4Q09才正式量产3-bit/cell MLC的产品，预期供货商在经过一段推广期及产品技术改良后，出货比重才可望在2H10会比较明显的提高，我们预估2010年全球 NAND Flash供给的位产出将比2009年成长79% yoy达到10759 M GB。

就供需缺口的状况而言，2010年NAND Flash市场在供货商节制产出成长及终端应用需求回温的双重因素配合下，预估明年的NAND Flash全年供需缺口可望由今年较平衡的状况转为偏紧约2%的缺货情况。但季节性因素仍将会影响季度的供需缺口，预期NAND Flash市场将在淡季因素的影响下，由2H09的供给偏紧转为1H10的小幅供过于求，但可望在旺季效应的带动下于2H10转为供给吃紧的状况，因此我们预期未来价格的波动性将会趋缓，而以反应制程技术提升的成本下降效益为主。