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2025-04-23 07:52:07
是基于CXL* 2.0标准的
DRAM解决方案产品。SK海力士表示：“将此产品应用于服务器系统，相较于现有的DDR5模组，其容量增长了50%，...
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2025-04-22 09:08:20
下同）和高端存储芯片（3D NAND/
DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、Lam Research等国际厂商。目前，...
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2025-04-21 09:11:08
公开号为CN119626287A。该专利通过优化
DRAM设计，引入多个存储单元组及灵敏放大器组等，显著提高了
DRAM的感应裕度和读出性能。4...
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2025-04-21 09:04:08
美光在
DRAM领域排名全球第三，市占率22.4%，在NAND Flash领域排名全球第四，市占率13.8%。近年来随着人工智能快速发展，高性...
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2025-04-18 08:58:39
●容量：HBM4支持4高、8高、12高和16高
DRAM堆栈配置，具有24Gb或32Gb芯片密度，可提供64GB（32Gb 16高）的更高立方...
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2025-04-17 15:18:22
积极提高
DRAM和NAND Flash的库存水位。TrendForce集邦咨询表示，受到积极备货潮带动，第二季的
DRAM和NAND Flas...
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2025-04-14 09:43:44
将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线。双方此次合作的核心是FMC研发的“
DRAM+”技术。据媒体报道，该技术突破了传...
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2025-04-08 09:50:03
三星计划对
DRAM和NAND闪存产品进行3%至5%的提价。报道指出，在过去的几个月里，存储器芯片的需求因为客户的储备行为而急剧上升，这使得三...
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2025-04-03 15:09:11
可满足晶圆、闪存系列eMMC、多芯片封装系列eMCP、ePOP、
DRAM系列LPDDR嵌入式存储芯片的测试。2025年完成一期项目建设后，年...
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2025-04-02 09:18:42
数据中心和针对消费者的市场对
DRAM和NAND的需求都将增长。”此次SOCAMM和HBM3E 12H 36GB和HBM3E 8H 24GB产...
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