2004-2005 NAND型闪存供货商产品简介

Samsung、Toshiba (FlashVision LLC) 、以及Renesas 为2003年以前的三大NAND型闪存供货商。2004年初有Infineon、Hynix 、ST Microelectronics的加入，再加上年底的力晶与Micron，今年总共会有八家厂商分食这个市场。

在这八家厂商中，Samsung为市占率最大的一家，也是唯一仅有的一家同时拥有八吋及十二吋厂。Samsung自今年四月起开始使用十二吋厂、90奈米制程生产2Gb的单一颗粒，而其下一个制程规划是于2005年第一季生产70奈米制程生产4Gb的单一颗粒。其余规格的颗粒如512Mb及1Gb现在都在八吋厂以120奈米的制程生产，并会于今年第三季底转换制程到90奈米。

NAND型闪存市场上拥有第二大市占率的就是Toshiba(闪存创立者)以及 FlashVision LLC (Toshiba与SanDisk于2000年五月九号以50-50的方式合资)。目前它们只有用八吋厂生产，十二吋厂将于2005年会计年度下半年加入生产。对于512Mb及512Mb以上之规格Toshiba都使用130奈米的制程。Toshiba于今年四月展示产业第一颗以90奈米制程所制造的4Gb单一颗粒。其下一步就是于2005年上半年于八吋厂使用70奈米的技术。

Renesas是一家把主力放在十二吋厂来生产NAND型闪存的厂商。对于1Gb以及以上的规程Renesas都使用130奈米的生产制程。预计明年第一季，Renesas将会使用90奈米来生产单一4Gb颗粒。力晶也为Renesas于其十二吋厂以130奈米的制程做512Mb的代工，预计将于今年第四季进入量产。

Hynix 与 ST Microelectronics 的策略联盟中订定产出对分的协议，并于今年一月时以512Mb、120nm奈米制程进入此市场，并预计于今年第四季将会使用90奈米来量产1Gb。虽然目前只有使用八吋厂生产NAND型闪存，但是到了明年年中将于新的十二吋厂生产。

Infineon亦于今年一月加入NAND型闪存市场。初期以170奈米制程于八寸厂生产单一512Mb颗粒，而其下一阶段就是于明年以110奈米制程生产单一2Gb颗粒。

Micron是此市场今年度最晚加入的竞争者，预计将于今年底或明年初于八吋厂90奈米制程来生产单一2Gb颗粒，至于明年就尚未有其它规划。