NAND Flash技术面剖析(上集)

我们可以大约区分NAND Flash技术为三个领域。最大的一个则是NAND技术。这中间有包含Samsung、Toshiba、Hynix、STMicroelectronics、以及Micron的厂商。其次，是使用AND技术的Renesas。最后一个是使用TwinFlash技术的Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG/Ltd(一个由Infineon Technologies AG持股70% 以及Saifun Semiconductor Ltd. 持股30%的合资企业)。

除了以上所介绍的技术之外，我们也要考虑到cell architecture，不论是哪种NAND Flash技术。我可区分为两大类: Single-Level Cell (SLC) 以及Multi-Level Cell (MLC)。SLC NAND Flash适合高效能的产品，其中一个cell只有储存一个bit；而MLC NAND Flash适合价格敏感度较高的产品，其中一个cell储存二个bit 。终端产品厂商可以使用SLC较先进的制成或直接使用MLC来达到储存容量最大化。

在NAND技术方面，Toshiba是NAND Flash cell inventor创始者(有一些技术是与合作伙伴SanDisk一起研发的)。Toshiba有使用 SLC 与 MLC的技术来制造NAND Flash，并是MLC方面的技术领先者，最先进的非堆栈颗粒是4Gb/MLC/90nm。 Samsung 则现在NAND Flash 产业的领先者，目前使用SLC拥有超过60%的市场占有率，其最先进的非堆栈颗粒是2Gb/SLC/90nm。此技术领域的其余厂商有包含Hynix， STMicroelectronics以及Micron均以SLC的技术进入。此技术领域的厂商要增加储存容量除了透过较先进的技术减少die size之外，亦可以透过使用large block cells来取代small blocks (Small=16KB/Block; Large=128KB/Block)。

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