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NAND Flash技术面剖析(下集)

来源:       

By Judy Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange


既然Renesas是从Hitachi与Mitsubishi的半导体部门合并而来,早在Hitachi 的时代就已经有使用AND Flash的技术。AND Flash可以分成三种:SGI-AND、 AG-AND与Super-AND,而我们可以依其使用的制程来区分。SGI-AND是用180nm所制造,而AG-AND则是使用 130nm以及更先进的制程而制造的。Super-AND是将IC controller直接设计到SGI-AND或 AG-AND里,因此,使用的制程会依照原有颗粒的制程,而时程大多会较SGI/AG-AND技术晚六个月且只有四分之一到二分之一的容量。AG-AND与SGI-AND的差异在于写的速度,AG-AND较SGI-AND更快。就Architecture方面来看, Renesas只有使用MLC这种规格。Renesas现在最先进的技术是做到4Gb 90nm的样品,预计于2005三月量产。

TwinFlash 是Infineon 与使用其伙伴Saifun的NROM技术所研发的技术。此技术有三个重要的特性:第一,此技术是two bit per cell,在左右的闸门上各储存一个bits (不像NAND的技术是以堆栈的方式储存)。第二,因为奇特有的bit储存方式,可使光罩的数目减少进而降低wafer成本,进而以较SLC小的实际面积储存相同的容量。最后一个特性是可以使用现有的DRAM 设备来生产,这就表示Infineon可以不需要额外的资本支出。Infineon现在只有生产512Mb的TwinFlash,分别以颗粒与SD卡的格式贩售。

虽然现今的NAND Flash市场SLC NAND所占最大比重,我们却有看到一些让我们预期在2005年中可看到MLC的比重大大上升的现象。例如,Samsung预计在2005第二季开始以75nm生产其第一颗的MLC颗粒; Hynix 在2005下半年以90nm 4Gb MLC 生产; STMicroelectronics 于2005下半年开始以90nm生产2Gb MLC的颗粒。无庸置疑的,当使用MLC生产NAND Flash的比重越来越高时,每单位成本将大幅下降。举例来说,Toshiba自2004第二季已生产4Gb/MLC/90nm,之后有Renesas在2004地四季生产4Gb/MLC/90nm,未来还有 Samsung将于2005年第二季生产4Gb/MLC/75nm的颗粒。 如果MLC现在所面临的困难可以获得改善,例如较SLC慢的读写速度、较短的生命周期(SLC : MLC=100K : 10K)以及因为其设计的复杂性而导致较差的产出,我相信低成本的NAND Flash 年代即将到来!