2005年更多的DRAM产能将转移到NAND Flash内存产品

By Rickie Yang, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

NAND Flash利润越好则有越多的产能配置

因为DRAM和NAND Flash产品都可以用相同设备来制造，大部份的DRAM原厂如三星(Samsung)、海尼士(Hynix)、美光(Micron)、和英飞凌(Infineon)不仅制造DRAM芯片也制造NAND Flash芯片。根据我们MI系统中每项产品的8 '晶圆市值来看，在2003年底1G NAND Flash在0.12微米制程下每片8 '晶圆市值超过其它内存产品二倍多。因此2004年在DRAM厂商积极地将产能移转至利润较佳的NAND Flash产品或者研发NAND Flash量产技术。在产能移转至NAND Flash产品及其它竞争者进入后，在2004年上半年1G NAND Flash现货价很快的下滑，并在2004年下半年下跌至低于256Mb DDR DRAM的价格。

NAND Flash市场趋势将影响DRAM供给。

在2004年第4季，我们注意到90奈米制程的2G NAND Flash产品对NAND Flash原厂呈现相当诱人的获利机会。我们可以预见到2005年DRAM原厂将会将更多产能逐渐移转到2G NAND Flash。根据我们MI系统的数据显示，2004年NAND Flash产能比重占NAND Flash和DRAM总产能约21%，我们预估2005年NAND Flash产能将达27%。对DRAM原厂而言，NAND Flash产品提供一个DRAM产能配置的替代方案。总括而言，为了完整的分析DRAM产业，我们必须关注使用相同产能的NAND Flash市场趋势。