NROM技術在FLASH所扮演的腳色

*By Cole Liu, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

NROM技術在FLASH所扮演的腳色

NROM：電荷存取在氮化層Nitride

NROM技术的基本运算是一个N型信道的MOSFET组件(Metal- Oxide-Semiconductor Field Transistor金属-氧化层-半导体晶体管)，他的特别在于利用一层的氮化层Nitride来取代原本当作闸极的多晶硅层，而氮化层上下被两层薄的氧化层作绝缘阻隔有如三明治般夹在中间形成所谓的ONO，此ONO可将两个电荷存取在Cell的两侧如图1的Bit 1与Bit 2所示，即是一个晶体管cell可做存取两个位Bits的使用。透过CHE（Channel Hot Electron injection）的方式来进行程序化作业，而以HHET（Hot Hole Enhanced Tunneling）来进行清除的作业。

应用与优势

近年来可携式消费性电子产品市场成长快速，对满足需要内建高密度嵌入式内存的应用产品的需求也日益强烈，有鉴于此，我们相信各DRAM厂在2005年会将部份产能转移到Flash上已得到更好的利润，犹如上礼拜我们的报告分析。因此除了Flash除了SLC ( Single Level Chell )和 MLC ( Multi Level Cell )的技术外，我们还是要提到同时可应用到NOR与NAND上的NROM技术，再加上NROM的制程技术可以用制造DRAM的现有设备生产，无须额外的生产设备投资，因此每个晶圆的成本架构与DRAM产品相似。可应用的产品包含用于数字相机与PDA的SD卡、多媒体记忆卡、Compact-Flash-Cards与Memory Sticks..等等。在Table 1列出NROM、MLC、SLC这三种技术在成本、读写速度、兼容性与后续的瓶颈来做比较。在整个成本较低的情况下我们是看好他未来的潜力。