一枝草一点露 手机用内存市场需求未来不可限量(上)

By CH Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

随着行动通讯应用服务的日益多元化，不论是语音、数据、影像或是多媒体等应用内容，都已经是相当成熟的加值服务，可是相对地对于手机用的内存却是形成某种程度的考验，因为手机用的内存必须要不断提升单位密度，并降低功耗以求省电，同时更需要因应手机体积日益小巧的需求，缩小内存IC的尺寸，最后还要利用多芯片封装（MCP；Multi-Chip-Package）技术将越来越多的内存浓缩放在越来越小的空间，综观这些需求都对内存制造商形成莫大的挑战，但是也说明随着手机市场的逐年成长，手机用的内存市场需求未来成长爆发性将不可限量。

根据集邦科技推估，随着手机多媒体应用日渐增多的趋势，整个手机用的内存（不含NOR Flash、NAND Flash）从2003到2007年复合成长率将达110%，未来手机用内存市场需求未来将不可限量，也将会吸引越来越多内存制造商加入生产行列，毕竟以内存制造商而言，若是可以减少标准型内存的产出，改为生产其它手机用内存，不仅可以降低标准型内存市场大起大涨的风险，同时营收也可以随着手机市场成长而上扬。

手机用内存种类多样化 非挥发性内存VS. 挥发性内存

目前常见于手机上的内存可分成非挥发性内存（Non-Volatile）以及挥发性内存（Volatile）两种，其中NOR Flash及NAND Flash属于非挥发性内存，所谓的非挥发性内存是指在电流关闭后，暂存于内存上的数据不会随之消失，所以多用于储存韧体程序(Firmware)、程序代码(Code)，此类内存的技术门坎也较高。

NOR Flash是由英特尔(Intel)所发展出来的架构，读取速度较NAND Flash快，可以在单位区块(Block)上进行读写，需要高电压和较长的涂抹时间，在手机中主要用于储存BIOS及程序代码，其特性为读取速度快，可以在手机开机时，迅速读取手机上所设定的程序与数据。

NAND Flash则是由东芝(Toshiba)所发展出来的架构，读取数据速度较NOR Flash慢，但有较小的记忆晶胞(Memory Cell)面积，每Megabit成本较NOR Flash为低，因此目前市面上的大容量Flash产品都以NAND Flash为主，可作为消费性电子产品数据(Data)储存之用，在手机上主要用于储存数据文件，包含图铃、相片、游戏等，其特性为抹除、写入速度快，可迅速的移除、写入档案。

至于挥发性内存可大略分为两种SRAM(包含Low Power SRAM、Pseudo SRAM)、SDRAM（包含Low Power SDRAM、Low Power DDR SDRAM）两种，不同于非挥发性内存，挥发性内存当电流关掉后，储存在内存里面的数据也会随之消失。

Low Power SRAM为传统6个晶体管结构（6T结构），相较于Pseudo SRAM，不论在体积及成本上都屈于弱势，但电力消耗较小为其优点，这也使得手机在缓冲存储器的选择上Low Power SRAM还是颇具优势，不过在高容量的产品上，由于单价过高，市场逐渐被Pseudo SRAM给侵蚀。

而Pseudo SRAM是以DRAM记忆胞（Cell)为数据储存架构，并结合SRAM的I/O与控制接口，由于手机制造商过去对于SRAM的设计较为熟悉，将DRAM包覆着SRAM的接口，可以让手机制造商容易转换为成本较低的DRAM，但又不用更改手机的设计；由于Pseudo SRAM本身为DRAM结构，DRAM结构为1个晶体管和一个电容的架构（1T架构)，体积小、成本低，但省电性较差为其缺点，故Pseudo SRAM现阶段在16M容量以上的产品较具市场竞争力。