Window Vista推升明年需求，DRAM厂积极扩产应对

供给受限的DRAM产业

2006年DRAM产业在供给受限的影响下，造成上半年淡季不淡的状况。主要原因在于部分DRAM厂将产能移往获利较高的Mobile RAM 及Graphic RAM等产品。此外，自从2004年NAND FLASH需求兴起之后，DRAM厂的产能配置上多了NAND FLASH的选项，也因此供给受限的DRAM产业摆脱了以往仅能投产DRAM而杀价竞争的惨况。

展望2007年对于DRAM产业的最重大影响在于Window Vista将带动PC的DRAM搭载量呈现倍数成长，将更进一步推升DRAM的需求，也因此各家DRAM厂在2007年莫不积极扩产来迎接Window Vista所带来的荣景。

各DRAM厂的扩产进度

以DRAM厂的建厂计划来看，最积极的仍属于台湾厂商，光是台湾地区明年将新增5座的FAB厂(Figure-1)。以力晶而言，明年将新增12M以及12C等两座12吋厂，其中12M厂房来自于旺宏，因此年底即可移入设备开始投产。而12C部分，则是于2006年3月动土，预计2007上半年完工，因此设备移入则需要等到2007下半年左右。而南科与华亚将于2007年各新增一座FAB厂，华亚2厂由于在2005年Q2动土，因此预计2006年下半年即可小量投产，为华亚2007年的成长动力来源。至于南科的第一座12吋厂，由于在2006年3月动土，因此也需要到2007下半年才能将设备移入及试产。茂徳由于筹资进度较慢，因此FAB-4需要等到2006年6-7月才会动土，也因此FAB-4对茂徳的产出贡献需要等2007年下半年以后。

而三星策略则是一年新增一座FAB厂，并以一年为DRAM厂，来年为FLASH厂的方式来配置产能。而2006-2007年所新增的Fab15 为twin FAB的型态，在制程上具有可以选择投产DRAM或FLASH的弹性，预计于2006年Q3开始pilot run。然而在其它DRAM厂市占率逐步提升下，三星为了在DRAM产业中维持一定比例的市占率，极有可能决定将FAB 15投产DRAM。

至于Hynix明年所新增的12吋厂则是与ST Micron合作的无锡二厂，在设备上也是可以选择投产DRAM或是FLASH的twin FAB的型态，预计在2007年上半年开始量产。

明年整体DRAM资本支出减少，但台湾厂商比重逐渐增加

虽然各家DRAM厂均有增加产出计划，但是新增一座12吋厂就需要25-30亿美金，也因此各家DRAM厂均在今年DRAM价格不错的时点纷纷展开募资计划。
而整合各家DRAM厂的资本支出规划来看，虽然2007年仍有许多新厂出现，但是DRAM产业2007年的资本支出有可能较2006年减少。主要原因来自于Micron逐渐淡出标准型DRAM市场，而目前也没有新增12吋厂来投产标准型DRAM的计划。此外、多数DRAM厂的建厂计划是在2006年动土，而2007下半年以后才会开始设备移入，因此部分资本支出将递延至2008年，也使得2007年的资本支出相较2006年减少。

但是以台湾厂商占全球DRAM产业资本支出来看(Figure-2)，其比重却不断的攀升，由2000年以前的10%以下增加至20%以上。主要原因在于台湾厂商还没有能力量产NAND FLASH，因此仅能在原有的DRAM产业中不断扩产藉由规模经济来提升成本竞争优势，也因此在标准型DRAM产品上，台湾厂商占全球产出比重将逐渐提高。

Window Vista决定明年DRAM产业供需平衡

从DRAM建厂进度来看，厂房建设、设备移入、开始试产至量产大约需要花18个月的时间，以各家所宣布标准型DRAM的扩产进度来看，大多数新增的12吋厂都在2006年开始动工兴建，也因此产能会集中在2007年下半年开出，造成供给大量的增加。虽然微软信誓旦旦宣称新的操作系统Vista消费版会在2007年一月上市，而新的操作系统推升每台PC的DRAM搭载率将是明年DRAM产业成长的主要动力，但是若微软的Vista无法按照原先进度推出而再次递延的话，势必将影响DRAM产业的需求，届时DRAM产业恐将有供需失衡的危机。