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Q2行动式内存总产值季增17.2%
根据TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查报告显示,2016年第二季全球DRAM总营收约91亿美元,小幅增长约6.3%。其中,行动式内存表现优秀,总产值季增长高达17.2%。
从整个市场发展情况来看,美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利,带动位元供给增长是导致DRAM总产值提升的主要原因。就行动式内存而言,由于第二季华为、OPPO与vivo等国产智能手机品牌出货持续增温带动DRAM三大厂持续向行动式内存转进,以及供给位元的增加导致各大厂商在这方面的营收同步受益。
竞争格局方面,三星无疑依然是行动式内存的领头羊,其在先进制程、产品良率和LPDDR4市场份额上均领先于竞争对手,市场份额高达61.5%。SK海力士去年Q4正式导入21纳米制程,今年将重点转进该制程,有助于LPDDR4的普及,也稳居全球第二,不过较上季度26.9%的市场份额,本季有小幅下滑,来到25.1%。
美光目前正处于20纳米转进关键时刻,LPDDR4投片量开始大幅提升,市场份额有所增加,来到11.4%,位居第三。
此外,南亚科和华邦电子也在积极转进先进制程,改善成本结构。据悉,南亚科明年将试产20纳米LPDDR3产品,而华邦电子38纳米制程也有望于明年导入量产。
英特尔与ARM达成授权协议
2016年5月初,英特尔停止面向智能手机市场的两款“凌动”(Broxton和SoFIA)系列处理器产品线的开发。就在业界纷纷猜测英特尔将退出移动芯片市场时,事情似乎有了转机。
8月16日,半导体龙头英特尔在年度开发者论坛(IDF)上宣布与竞争对手ARM达成新的授权协议,未来英特尔工厂可以生产ARM芯片。这意味着英特尔晶圆厂将向第三方开放包括10纳米制程工艺生产线在内的芯片工厂,用于ARM技术的芯片生产。
而LG将成为英特尔和ARM达成合作后的首个客户。据悉,英特尔在官方声明中确认,将会首先为LG提供基于其Intel Custom Foundry打造的10纳米世界级移动平台产品。而未来,包括苹果、高通和英伟达等在内的其他公司生产ARM设计的64bit芯片也不排除由英特尔代工的可能性。
当前,半导体工艺制程竞赛进入白热化阶段,英特尔、台积电和三星等均已加入10纳米工艺制程战,格罗方德更是在此前宣布将在14纳米 FinFET工艺之后取消10纳米工艺,直接进入7纳米工艺。
英特尔此时与ARM达成战略合作,无疑是在向业界宣示其重返晶圆代工市场的野心和信心,在一定程度上会给台积电和三星等晶圆代工大厂造成不小的压力。
SK海力士量产UFS 2.1产品
8月18日,SK海力士宣布开始大规模量产UFS2.1产品。该产品是基于第二代36层堆叠的3D NAND闪存技术解决方案,拥有32GB、64GB和128GB三个容量。
SK海力士UFS 2.1产品采用双数据通道传输,以及High-Speed Gear 3接口,与UFS 2.0的780MB/s和160MB/s读写速度相比,UFS 2.1产品性能有了一定的提升,顺序读写速度可分别达到800MB/s和200MB/s。
同时,凭借双通道优势,相较于UFS 2.0每通道最高理论带宽从UFS 1.0的300MB/s提高至600MB/s,UFS 2.1每通道最高理论带宽可享有翻倍的数据传输速度。此外,UFS 2.1版本还增加了状态描述、安全写入保护等功能,以及固件的更新。
当前,智能手机嵌入式产品应用正由eMMC向UFS发展。通过使用基于UFS 2.1产品的智能手机,用户不仅可以体验8K分辨率和360度视频的视觉享受,还能体验到未压缩的图像拍摄。
据悉,除SK海力士之外,美光和慧荣也分别推出了符合UFS 2.1标准的3D NAND解决方案和相关产品。
环球晶圆6.83亿美元并购SEMI
为扩大产业布局,增加全球市占率、客户群、产品线与关键技术专利,环球晶圆于8月18日与SunEdison Semiconductor(以下简称“SEMI”)达成并购协议,即环球晶圆透过子公司以每股现金12美元收购SEMI全数普通股和净负债,交易总值达6.83亿美元。
该收购案完成后,不仅可以为环球晶圆拓展新的市场与客户,同时还可以为其取得SOI晶圆、300mm磊晶晶圆及其他特殊晶圆技术与产能,整合关键技术并可提升定价能力。
据悉,新的环球晶圆产能有望得到迅速提升,预计到时12寸硅晶圆月产能可达75万片,8寸达1百万片,而6寸以下月产能则为83万片,运营据点也将由此前的9个增加至17个,合计市占率可到17%。
该收购案将在今年底完成,预计双方合并完成后,新的环球晶圆总营收较今年将激增1.5倍,达到新台币400亿元。据悉,SEMI是全球第四大半导体硅晶圆制造与供应商,环球晶圆此次以小吃大,将成为仅次于日本信越和SUMCO的全球第三大硅晶圆厂。