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SSD硬盘中固件的重用

所谓固件(Firmware)就是写入EROM或EPROM(可编程只读存储器)中的程序,通俗的理解就是“固化的软件”。更简单的说,Firmware就是BIOS的软件,但又与普通软件完全不同,它是固化在集成电路内部的程序代码,负责控制和协调集成电路的功能。

SDHC与microSDHC的区别

SDHC是“High Capacity SD Memory Card”的缩写,即“高容量SD存储卡”。2006年5月SD协会发布了最新版的SD 2.0的系统规范,在其中规定SDHC是符合新的规范、且容量大于2GB小于等于32GB的SD卡。

SDXC存储卡规格

在CES上SD厂商联盟宣布推出新一代SD存储卡标准——SDXC(SD eXtended Capacity)。在新的标准助力下,SD存储卡的最大容量一举达到了2TB,采用微软exFAT文件系统,还能实现最高300MB/S的传输率。

什么是NOR和NAND闪存?

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR 。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为512Mb。

DDR3内存命名方式

相比于DDR和DDR2,DDR3的改进之处非常多,最直观的表现有更高的频率(800-1600MHz)、更低的工作电压(1.5V),以及更低的工作温度和功耗等等,就技术层面讲则更加丰富,比如8-bit预取、新的寻址时序、新增重置和ZQ校准功能、支持DOT和ODC技术、参考电压分为两个、点对点(P2P)连接等等。DDR3芯片容量512Mb至8Gb。

内存排阻的作用

在内存芯片和内存引脚之间,为了提高电流的稳定性和抗干扰性,而提高数据信号的准确性,内存在这些部分都加装有贴片电容和电阻。

SDR&DDR&DDR2&DDR3内存技术区别

SDR&DDR&DDR2&DDR3内存技术区别

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