所谓内存混插，就是将不同规范(如DDR2 667和DDR2 800两种)的内存，或不同容量的内存，或不同品牌的内存在一台电脑中混合使用。内存混插虽然可以节省内存投资，但系统出问题的可能性却增大了。相对来说，不同容量、不同品牌的内存混插问题较少，因此，我们着重谈论不同规范的内存混插问题。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。这区区8个I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
双通道，就是在北桥（又称之为ＭＣＨ）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器控制一个内存通道。在这两个内存通ＣＰＵ可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍（理论上）。目前流行的双通道内存构架是由两个６４bit DDR内存控制器构筑而成的，其带宽可达１２８bit。因为双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器，因此二者能实现彼此间零等待时间，同时运作。两个内存控制器的这种互补“天性”可让有效等待时间缩减５０％，从而使内存的带宽翻倍。
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