目前，中高端显卡都已普遍应用了GDDR3或GDDR4显存颗粒，而市面上的主流内存颗粒仍为DDR2，少数厂商推出的DDR3内存也因为较高的价格没有得到普及。显卡和内存都需要大量的存储颗粒，这些颗粒从功能上而言，它们都是用于存储临时数据用的，但为什么显存颗粒的速度要远高于内存的，为什么内存不使用速度快的颗粒来制造呢？
FPM DRAM是FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM）的简称。也就是快页内存。是一种在486时期被普遍应用的内存。72线、5V电压、带宽32bit、基本速度60ns以上。它的读取周期是从DRAM阵列中某一行的触发开始，然后移至内存地址所指位置，即包含所需要的数据。第一条信息必须被证实有效后存至系统，才能为下一个周期作好准备。这样就引入了“等待状态”，因为CPU必须傻傻的等待内存完成一个周期。随着性能/价格比更高的EDO DRAM的出现和应用，它只好退出市场。之所以称之为快页内存，因为它以4字节突发模式传送数据，这4个字节来自同一列或者说同一页。FPM DRAM如果要突发4个字节的数据，它依然需要依次的读取每一个字节的数据。
IC就是半导体元件产品的统称,包括: 集成电路(integratedcircuit,缩写:IC) 、二,三极管、特殊电子元件。广义讲还涉及所有的电子元件,象电阻,电容,电路版/PCB版,等许多相关产品。
MLC（Multi-Level-Cell）技术，由英特尔于1997年率先推出，能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案，可大幅节省制造商端的成本，但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC（Single-Lecel_Cell） 内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点，MLC颗粒制成的产品只有10X（1.5Mbyte/sec）的写入速度，SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X（3.2Mbyte/sec）的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功，能够让单个存储单元保存两倍的数据量；
固态硬盘在原理构造上基本上和我们应用普通机械硬盘有很多相似的地方，比如模拟扇区、模拟磁道等。在固态硬盘内部，最核心的部分就算控制器了，它是整个固态硬盘的核心，里面包括很多构架，比如读写算法、接口定义等。主要影响寿命的就是读写次数，在固态硬盘的算法定义中，修改一次才算一次真正读写。目前所说的10万个写循环是针对每一个存储单元来说的，例如在每一个存储单元上进行10万次的写操作，但是固态硬盘设备不会在一个单元上不断的进行写操作，而是把这样的操作分配到其他单元上进行。这样的机制称为“磨损平衡”，由固态硬盘的控制器自动完成。
ECC的英文全称是“ Error Checking and Correcting”，对应的中文名称就叫做“错误检查和纠正”，从这个名称我们就可以看出它的主要功能就是“发现并纠正错误”，是在数据位上额外的位存储一个用数据加密的代码。当数据被写入内存，相应的ECC代码与此同时也被保存下来。当重新读回刚才存储的数据时，保存下来的ECC代码就会和读数据时产生的ECC代码做比较。如果两个代码不相同，他们则会被解码，以确定数据中的那一位是不正确的。然后这一错误位会被抛弃，内存控制器则会释放出正确的数据。被纠正的数据很少会被放回内存。假如相同的错误数据再次被读出，则纠正过程再次被执行。它比奇偶校正技术更先进的方面主要在于它不仅能发现错误，而且能纠正这些错误，这些错误纠正之后计算机才能正确执行下面的任务，确保服务器的正常运行。使用ECC校验的内存，会对系统的性能造成不小的影响的。
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