现货市场：因即将到来的十一长假，交易情况有所回温

By Joyce Yang, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

持平的价格反映出9月13日到20日的一周内的记忆体市场平淡。包括DDR、DDR2、SDRAM和NAND Flash在内的所有记忆体现货价都在2%的范围内浮动。由于国内十一长假即将到来，交易变得活跃起来。

主要品牌的DDR 256Mb芯片及有效测试颗粒（eTT）的价格上周都有所上扬。DDR 256Mb 32Mbx8 400MHz的平均价格由2.52美金微幅上涨到2.54美金，eTT也由2.25美金升到2.28美金。

亚洲一些贸易商和模组厂商由于担心价格持续下跌，本周稍早时，仍在现货市场抛售DRAM存货。然而，由于看到国内DRAM定单有所增加，9月14日开始他们又转而回购。

在Hynix原厂颗粒猛烈冲击下，DDR 512Mb (64Mbx8)的价格由5.80美金降到5.71美金 。据称，Hynix已从256 Mb颗粒上转移更多的产能到DDR 512Mb。

NAND Flash市场，商家仍在追8Gb颗粒，但价格只微涨了0.43%，为46.99美金。虽然我们听说三星电子和Hynix最近已减少了对现货市场的供货量，然而需求似乎并没有强大到支撑价格上扬。

NAND Flash 4Gb下降了0.6%后，为23.38美金；2Gb下跌0.65%，达到12.16美金了；1Gb减少0.14%，为6.9美金。

合约市场：部分DIMM（双列直插内存模块）价格下跌，NAND Flash有所反弹

在经历了先前两个月的少货状态之后，台湾最主要的四个主板制造商的出货量8月MoM（动量指标）增长了13%。展望9、10月份，台湾主板制造商和NB ODM（笔记本原始设计制造商）持乐观态度，但对DRAM合约价而言，并不意味着就是好消息。由于DRAM供应量持续增长，PC OEM商因此要求下调合约价，我们訪查主要DRAM颗粒商议结果如下：

1、DDR 256MB UDIMM 和 DDR 256MB SODIMM 下降2%，为0.5美金。一些PC OEM厂商的DDR256MB UDIMM價格維持持平，另一些厂商会在两者之间則有0.5美金的跌幅。

2、DDR和DDR2 512MB UDIMM 价差微降3%到5%由于DDR 512Mb 64Mbx8芯片产出增加及生产成本下降，一个DDR 512MB超过两个256Mb内存的价差消失了。DDR2 512MB低价比同等容量的DDR DIMM少4美金左右；另一方面，512MB DDR和 DDR2 DIMM的高价同样都是48美金。

3、DDR和DDR2 512MB SODIMM 下跌2%到5%，在1美金到2美金左右。由于笔记本使用的32Mx16芯片和SODIMM PCB生产成本仍远远高于台式机内存和PCB的生产成本，笔记本的SODIMM对比台式机使用的UDIMM依然存在7%到15%的价差。但随着成本持续下降，我们认为这两款内存的价差将逐渐缩小。

9月的NAND Flash合约价反弹，4Gb颗粒月增幅最高为3.55%，然而低容量1Gb颗粒价格依然持平。9月20日，1Gb、 2Gb、 4Gb和 8Gb的合约价分别为42.38美金, 22.16美金, 11.48美金 和6.41美金。

由于需求有限以及产出没有明显下滑，低容量（2Gb及以下）的高低价均呈下降趋势。更重要的是，想要抢占更多市场份额的主要商家，猛砍价格以吸引更多的顾客。

苹果为其新款的NAND Flash制nano，和三星电子预订了大量的定单，同时也带动了像Hynix 和东芝这样在4Gb芯片市场上能够占据一定份额的厂商，其各自4Gb颗粒低价上扬。

预计10月份4Gb的价格趋势将会继续上升，但由于目前提供给苹果 nano的出货量还不大，所以其增长比率将有所放缓。