DRAMeXchange: 疲软的合约价让内存的价格蒙上了一层阴影

上周二所公布的的9月下旬DRAM合约价全面走跌，其中256Mb及512Mb DDR颗粒合约价下滑3%，而512Mb DDR2颗粒则下滑近5%，整体表现依旧呈现弱势状态，这是因为市场上原本期待的9月份返校潮买气似乎消失了，再加上中国大陆十一长假效应也不见贸易商大量补货，因此才会导致没有DRAM合约价的火花难以点燃，若以现阶段各家业者（ProMOS、Powerchip..等）新增产能陆续开出下，短时间内DRAM价格恐怕是难有惊人表现，只能期待年底圣诞节买气激励市场动能。

DDR 256Mb 32x8 400MHz 的现货价涨幅0.78%，9/27 以US$2.5收盘，而DDR 512Mb 32Mx8 的价格则是下跌至US$5.65跌幅1.05%。DDR2 512Mb 533Mhz 及eTT DDR 的价格则是持平状态。

展望本周，由于上周二所开出的合约价影响着市场，再加上9月底季底作帐压力，可以预料本周市场DRAM价格走势不会太过乐观，不过现货市场目前看来，似乎仍旧想办法要将价格守在一定价位区间内，其原因应是仍期待十一长假需求能在最后关头倾巢而出。

至于NAND Flash部分，上周所开出来的合约价，8Gb的价格呈现上涨，而4Gb在连跌7个月之后，首度出现反弹，幅度约为3%，至于2Gb及1Gb则是持平，很明显地iPod nano所带动起来的需求，造成高容量NAND Flash货源部分短缺，导致价格上涨，但是低容量的NAND Flash却因为新加入的供应者（Micron）产能开出，因此虽然市场上依旧有需求，但是没有办法带动价格上扬。

8Gb NAND Flash 在上周成长的幅度大约为6.35%，9/27 以US$50.05 收盘。4Gb 的现货价以US$23.64收盘，涨幅1.11%。而2Gb及1Gb 的价格 则是分别下跌3.74% 及 0.14%。

至于本周的NAND Flash价格部分，高容量的NAND Flash价格逐步上扬不成问题，但是低容量的NAND Flash，在三星电子（Samsung）的价格下滑压力下，将让其它业者价格受到压缩，上涨空间有限。今天市场上传出上海力士（Hynix）为了不让三星电子独霸高容量NAND Flash市场，海力士可说是快马加鞭，将于10月正式推出旗下第一颗8GB的NAND型Flash产品，虽然说不是由单颗8Gb所组成，而是利用4Gb堆栈而成，但对于4Gb NAND Flash而言，会产生一定幅度缺口，但是对于8Gb NAND Flash，就必须要视苹果计算机（Apple）未来几个月iPod nano销售量才能够知道供需变化为何。