因需求不振，DRAM成交价在小范围内浮动

DRAM/NAND Flash 现货市场最新报告：

2005年10月4日到10月11日，DXI指数从3046.31下降33.49点，到3012.82，降幅达33.49个点。上周，由于需求不振，DRAM成交价在小范围内浮动。DRAM现货市场由于交易范围小，主流颗粒256Mb（32Mbx8）DDR 400MHz的价格从2.57美元微跌到2.55美元，256Mb eTT颗粒从2.25美元降至2.22美元，512Mb（64Mbx8）从5.51美元降到5.47美元，而DDR2 512Mb也从5.07美元下跌到5.02美元。

在韩国和中国，因贸易商对疲软的价格和本月初的国庆长假很谨慎，所以现货市场交易不多。在欧洲，买家从芯片供应商那里成功获得低价颗粒。

NAND Flash方面，由于市场供应紧缺，现货市场持续上扬，但交易量有限。1Gb、2Gb、4Gb和8Gb的芯片价格如下：1Gb从6.9美金增长3.45%，为7.14美金；2Gb从11.77美金增长8.6%，到12.79美金；4Gb从23.89美金增长9.1%后，为26.09美金；而8Gb也有5.16%的涨幅，从50.91美金上涨到53、54美金。

DRAM合约市场最新报告：

目前，供应商产能转移到DDR2，依然是超前于终端市场的实际需求的。相反地，DDR供应持续紧缺。结果，DDR合约价在8月下旬和9月上旬保持平稳，而DDR2价格却下跌。然而，尽管DDR需求依然不错，但却因DDR2疲软的价格，致使十月上旬DDR合约价有所下滑。买家期望缩小DDR和DDR2的价差。

DRAM九月生产量最新报告：

DRAM的总产出，以256Mb为例，从8月的五亿六千八百七十四万增加到9月的六亿两千七百七十九万。我们认为韩国、欧洲和日本供应商的12寸晶圆产能扩大和90奈米制程生产为DRAM产出增长的主要原因。

DDR2产出，以256Mb为例，从8月的一亿九千二百六十万增加到9月的两亿三千八百八十万。与8月的33.66%相比，9月占全球DRAM的总产出比例增长到37.83%。9月，三星、英飞凌、尔必达和南亚DDR2的产出都超过了DDR，结果，这些公司体验到了比预期还要低的DDR2需求带来的巨大压力。