淡季DDR颗粒的底部即将浮现，价格提前逆转;NAND Flash 高容量终端产品需求出现

DRAMeXchange指数于本月份七号到十三号，由3007下降至3000，反映DDR与DDR2现货市场的价格均微幅走跌。现货市场方面，DRAM价格买气不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT价格维持在1.79美元并无太大变化。DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz价格微幅下滑至2.08美元。至于DDR2部分现货市场需求依旧疲弱，由于许多模块厂DDR2库存回补完毕后并无新增加的买盘，而在现货市场主流需求仍在DDR颗粒，DDR2在计算机系统厂商停止在现货市场收货后，价格自三月初开始微幅下滑，DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)价格于上周由5.09美元下跌至5.04美元。而在NAND Flash 市场部份，本周NAND Flash现货市场总的需求仍旧匮乏，随着越来越多的NAND Flash货源流入现货市场，价格持续下滑并集中在1Gb 至4Gb，下滑幅度为5-8%；8Gb 至 16Gb NAND Flash现货价的下滑趋向平缓，下滑幅度仅为1-2%。

回顾DRAM现货价过去三个月走势，DDR 256Mb 32Mbx8于去年十二月初，价格即在需求增强下，由2美元上涨15%，至一月中旬，价格达高点2.33美元后，价格反转而下，下跌近11%，至今天的2.08美元。同时期， DDR 256Mb 32Mbx8 eTT(UTT)价格则由1.8美元，上涨近27%，至一月中旬，价格达高点2.3美元，几乎与品牌颗粒同价位，之后价格于一月中旬反转而下，下跌近22%，再回到1.8美元。历史经验显示，DDR颗粒的底部即将浮现，然而即使电子传统淡季-第二季即将到来，DDR的向下跌幅预估不会超过10%，即会开始整理打底蓄势向上。

依Intel的roadmap观之，Intel于2006年第一季及第二季仍有约30%的865系列芯片组，70%为915/945系列，VIA支持DDR2芯片组至六月方上市，SIS则于Q3方量产支持DDR2的芯片组。AMD支持DDR2的CPU，M2也至六月方同时供应现货及合约市场。因此，保守估计，在计算机应用内存方面，DDR于Q2仍约占DDR及DDR2总合之四成。直至第四季，DDR的比例将降至二成以下。

而DDR2在现货市场的走势，则略不同于DDR的走势。至十二月底，合约市场DDR2开始呈现缺货效应，使计算机系统大厂至现货市场抢进DDR2，DDR2 512Mb 64Mbx8由3.75美元，在短短一个月内，狂涨超过40%，至一月底价格来到高点5.29美元，二月一整个月价格维持在高点不变，直至三月初，价格方稍走软，微跌5%，至5.04美元。同时期的DDR2 eTT 512Mb 64Mbx8，也呈现相同走势，由3.02美元，上涨超过40%，至4.31美元，然后下跌6%，来到4.05美元。

展望第二季的合约价与现货价格走势，DRAMeXchange表示，淡季效应虽会使价格有下跌压力，但今年第二季价格下跌幅度应不若去年第二季跌幅来的大。在三星(Samsung)持续增加Mobile RAM，Graphic memory比重下，commodity DRAM的产出成长将受限，Hynix 则于淡季来临时，进行DRAM设备迁往中国无锡厂，使其第二季产出成长可能呈负成长10%QoQ。Micron则将重心转往NAND Flash， commodity DRAM比重在其产品组合中将进一步下降。此外，DRAM厂积极转进90奈米，良率问题亦可能限制第二季DRAM产出的成长。因此，DRAMeXchange进一步指出:第二季DRAM价格跌幅QoQ应不会超过20%;以DDR2 512MB模块为例，第一季合约价均价估计为38.8美元，换算为DDR2 512Mb颗粒价格为4.6美元，第二季512MB模块均价应不会低于31美元，以DDR2 512Mb来说，均价预估不会低于3.7美元。

NAND Flash高容量终端产品需求出现--减缓8Gb/16Gb NAND Flash颗粒现货价下跌速度。

目前闪存卡和UFD(USB Flash Drive)制造商都在寻找容量1GB 及 2GB，相对使得8Gb和 16Gb的颗粒倍受关注。相对于欧洲和美国的市场，中国大陆、台湾和韩国地区对这些产品的需求更为强劲。然而，每笔订单所需数量依然呈现散单的状况偏多。因此，此需求仍不足以提供一个强大的力量来改变目前的供需状况。

至于1Gb 到 4Gb，需求主要来自礼品市场。但是，需求依然有限。而且随着4Gb及以下低容量颗粒供应的增加，未来几周内这些颗粒的现货价格压力将加大。

目前大家仍在等待正在德国汉诺威举行的CeBIT之后的最终接单状况。然而根据DRAMeXchange的观察:今年来自CeBIT潜在需求会较往年差。