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2006年5月2日-DXI(DRAMeXchange指数)上周小幅走扬,价格指数由上周3220上涨至3249。
DRAM现货市场方面,上周由于5/1长假即将来临,亚洲各地区交易清淡。DDR与DDR2价格持平或小涨。DDR 256Mb eTT价格,上周价格小幅上涨至2.37美元,DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz 价格则持平在2.47美元附近,DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz,价格由4.82美元小幅上涨至4.88美元。
至于DDR2部分,由于预期下半年DDR2成为主流且近期价格趋势仍往上,因此DDR2在现货市场已有部分的补货买盘浮现,DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)价格上周维持在5.05美元左右。DDR2 512Mb 64Mx8 N.M.B价格则是落后补涨,由3.7美元上涨至3.78美元,涨幅达2.2%。

合约价自今年一月出现止跌反弹的讯号,DDR2二月展现凌厉的涨势,三月持续攻坚。原本预计三月下旬,价格将有机会向下,但由于DRAM大厂生产线问题,影响三月下旬至四月一整月之产出,也使四月DDR2/DDR呈现双缺,而甚至有些厂商于四月下旬微幅调涨价格,使DRAM价格走势在去年Q4旺季,呈下跌趋势。而今年Q1淡季却呈上涨趋势,也使DRAM价格的趋势预测更加诡谲难辨。
DRAMeXchange预估DDR2在四月合约价维持持平或小涨,因此即使五月及六月的月均价下跌幅度不超过10%,Q2 DDR2合约价均即可能高于Q1合约价。DRAMeXchange进一步指出DDR2因为今年价格在上半年已在高档,在旺季价格高涨机会相对减小。
DRAMeXchange预期大部份DRAM厂在第二季底至下半年产出预期每季皆会成长二位以上。因此若Q3仅逹到2-3%MoM的涨势,Q3 DDR2价格仍会略低于Q2合约价若Q4有机会持续上涨,则Q4有机会成为2006 DDR2 ASP 最高的一季。
NAND Flash现货价小幅下跌,仅2Gb上涨1.2%
NAND Flash现货市场,在三月季底做帐压力下,厂商持续倒货至现货市场。使三月NAND Flash现货价自月初到月底大跌30%-40%。而且,Samsung的颗粒跌幅更甚于Hynix。四月份,Samsung开始减少出货量及出货频率,以期稳住市场价格,因此市场价格于四月初小幅反弹后,即呈现小波动趋势。但由于市场末端需求如数字相机,MP3皆需求不旺,因此无法带动Flash记忆卡买气。加上Hynix于四月初开始出8Gb/4Gb MLC 颗粒至市场,四月中下旬出货量增加显著。且价格远比之前的8Gb/4Gb SLC低,也使买方对价格趋势不明朗下,因而采观望态度。
上周市场主要的需求在2Gb及16Gb,大部份的买家因中国五一长假及新货即将到达,皆仍维持观望态度,进场意愿不高。之前所预期的长假补货效应因价格趋势不明朗,并未浮现。
不少市场观察者期待NAND Flash合约价在大跌后,有反弹契机但市场人士指出,由于消费性末端需求尚未浮现,Toshiba flash card 1GB/2GB最近的盘价仍往下走,对NAND Flash合约价在短期内反弹上涨的看法不表乐观。
中国PC市场微观:中国NB出货量不增反减
2006年第一季中国NB出货量较去年同期微幅下跌根据易观国际研究报告指出,2006年第一季中国笔记型计算机出货量达到100万台,较去年同期减少2.9%,市场销售金额为82.2亿人民币,较去年同期减少2.4%。
厂商排名方面,联想持续蝉联第一位、市占率达33.4%,HP排名第二、市占率10.8%,第三名为Dell、占有率为9.2%,第四、第五名分别为华硕与东芝,占有率各为6.5%与6.1%。
购买用户方面,中国家用市场之笔记型计算机成长快速。在2006年第一季,家用市场市占率,占整体NB市场之25.9%。
在价格分布方面,中低阶价位笔记型计算机为主流,7000-9000人民币之中阶产品以及500-7000人民币低阶产品,两者销售占市场总销售之六成。
英特尔将进行大规模整顿
英特尔公司执行长Paul Otellini 于4月27日表示,该公司将进行全面的整顿。其表示,接下来的90天,这项综合整顿计划将找出各单位樽节成本的方式,并增进员工生产力。
为了在成长趋缓的整体市场中夺回失去的市占率,英特尔计划推出多年来最大规模的产品更新。Otellini表示:「以核心微架构为基础的新产品将在今夏推出,更新所有区块的英特尔产品线。」
三种新芯片,分别针对三个核心市场区块:Woodcrest服务器芯片订6月上市,紧接着在7月推出桌上型计算机芯片Conroe,8月上场的是笔记型计算机芯片Merom。Otellini说,由于服务器市场是英特尔最弱的一环,Woodcrest将打头阵。为突破芯片组库存的瓶颈,该公司也将推出新的桌上型计算机芯片组Broadwater。