八月上旬DRAM合约价格续涨5%; 2Q07全球NAND Flash销售额达28.67亿美元，QoQ仅成长7.5%

八月上旬DRAM合约价格续涨5% ;今年下半年DRAM供给成长将下修

上周现货市场开低走高，在月底仍交易清淡，DDR2 eTT 64Mx8 512Mb颗粒价格稳定在1.94至2.00美元之间。八月初，价格微幅上涨, 站稳2美元且交易量扩大。上周DDR2 eTT颗粒回升至2.13美元，涨幅7.58%。而品牌颗粒DDR2 512Mb 64Mx8则是上涨至2.23美元，涨幅4.69%。

上周现货市场状况,虽至月底，并未出现DRAM原厂月底大量倒货的情形。主要是计算机系统大厂因应旺季需求，持续拉高ＤＲＡＭ库存。使得DRAM现货市场供应量有限，然而现货需求也未转强，价格变化不大。但上周五Samsung出现工安事故，产线遭到断电影响，现货市场在下午涌进买单。

合约价方面，在八月上旬合约价持续向上调整，DDR2 667MHz 512MB UDIMM的平均价格由19.5美元上涨至20.5美元，涨幅约5%，平均颗粒成本为2.25美元/512Mb。与现货市场价格之2.23美元相当接近。短期来看，计算机系统大厂在旺季来临，２ＧＢ搭载量增加，带动DRAM需求，DRAMeXchange认为，ＤＲＡＭ八月下旬合约价仍有调涨的空间。

华邦于8/3日举行07年第二季之法人说明会，受到第二季营收表现不佳的影响，Q2单季亏损达台币13亿7千4百万(约合美金41.6m)，EPS为-0.37 (NTD)。 展望下半年，华邦将增加NOR Flash的产出比重，并以Consumer Logic IC为提升毛利率的主要产品，同时与奇梦达签订新的代工合约，75nm以及58nm，预计将于08年导入75nm。由于受限于现行代工合约的计价方式，获利与市场价格相关联，华邦与奇梦达新的代工合约，则会降低市场价格波动带来的影响，以固定获利比率为主。

Samsung的部份产线于上周五出现电源供应问题，使得FLASH产能受到影响，在 NAND Flash短缺将进一步扩大下，预计Samsung或Hynix将转移DRAM产能至NAND Flash。下半年DRAM供给成长将较原本预估为低。接下来DRAM现货及合约价的高点有机会挑战 2.5美元/512Mb。

2Q07全球NAND Flash销售额达28.67亿美元，QoQ仅成长7.5%; 三星停电事件短期内将使的NAND Flash供货状况更加吃紧

1Q07 NAND Flash平均价格急跌达40%以上，制造商在上半年暂缓产能扩充计划，再加上Samsung、Toshiba以及Hynix 2Q07在新制程技术转换仍处调整期。因此2Q07的整体NAND Flash的位(bit)产出量与1Q07变化极小。DRAMeXchange分析师指出市场由1Q07的供过于求在2Q07转变供需较平衡之状况，因此2Q07 NAND Flash价格也得以止跌反弹达10%以上。

依个别厂商在2Q07 NAND Flash销售状态而言：

三星(Samsung)仍以43.9%的市占率持续保持第一名的位置，市占率较1Q07 的39.6%高，Samsung在06年下半已将部份NAND Flash产能渐渐转为DRAM。1H07产出主要以制程技术升级为主，而50 nm新制程技术在2Q07仍处于调整期，2Q位产出成长约比1Q成长11%。2Q07 ASP约较1Q07上涨约10%，销售值约成长QoQ19.4%达12.6亿美元。

东芝(Toshiba) 2Q07 NAND Flash销售值虽比1Q07减少，但2Q07 Toshiba仍以24.8%的市占率保持第二名，而市占率则较1Q07的30.1%低。主因来自于其56 nm新制程技术在2Q07仍处于调整期，因此QoQ位产出比减少约10%，且客户多以长期合作伙伴为主，所以ASP与1Q07 呈现大致持平的状况，2Q07销售值约较1Q07 减少约11.6%达7.11亿美元。

海力士(Hynix)则以16.8%的市占率持续保持第三名的位置，较1Q07的15.4%高。Hynix在2H06也将部份NAND Flash产能渐渐转为DRAM。所以1H07的产出主要也以制程技术的升级为主，但是因为60 nm新制程技术在2Q07仍处于调整期，所以2Q位产出比1Q稍为减少，但因2Q07平均价格(ASP, average selling price)比1Q07上涨25%，所以2Q07销售值约较1Q07 成长约16.7%达4.81亿美元。

前三名NAND Flash厂商约占整体市场85.5%的市占率，市场集中度仍然很高。就其它厂商的状况而言，因IM Flash 3Q07末才会于新的12吋厂投产50 nm新制程产品，但因价格反弹及制程技术提升的产出增加，2Q07 Micron & Intel的NAND Flash销售额仍较1Q07稳定成长，2Q07市占率分别为4.8%及1.9%。

瑞萨( Renesas)因策略上将持续降低自有AG-AND Flash的生产比重，并转由合作伙伴力晶(PSC)代工。2Q07瑞萨与力晶阵营销售值比1Q07 减少，其2Q07市占率也降到4.2%，3Q07末，力晶也将开始生产MLC NAND Flash产品。

另外，意法半导体( STMicro) 2Q07则因来自手机的相关应用业务明显增加，因此2Q07 的NAND Flash销售值较1Q07明显成长，使得其2Q07 的市占率也提高到2.9% ; 奇梦达(Qimonda)自2007年起为维持服务客户，将采渐进减产的方式来生产Twin Flash，故2Q07销售值较1Q07减少，而其市占率约为0.7%。

DRAMeXchange预期因传统旺季效应及厂商新制程调整期延长，下半年NAND Flash市场将呈现供给不足的状况。此外，8月3日下午三星的半导体厂区发生了停电事件，使得该公司的6,7,8,9 &14厂的生产均受到停电中断的影响，但三星已宣布于8月4日下午恢复到正常的生产状况，公司初步估计约损失 4,300万美元，由于该厂区为三星的NAND Flash主要生产地，我们预估该停电事件，将影响三星至少5.5%的NAND Flash月产出量及全球约2.2%的NAND Flash月产出量，因此短期内NAND Flash市场供货不足的状况，也将因这一事件而更加吃紧，使得8月份的NAND Flash价格也将持续的看涨。

最后，DRAMeXchange将7/30和8/6的NAND Flash现货收盘价做一比较：1Gb的价位从4.09美元上升至5.13美元，涨幅为25.4%；2Gb从7.3上涨至7.86美元，涨幅7.7%；4Gb从10.54上升至11.69美元，涨幅10.9%；8Gb则从12.17上升至15.9美元，涨幅为30.6%；16Gb从20.74上升至22.03美元，涨幅6.2%。