台系三大主要模块厂财务分析；NAND Flash厂商3Q07营收成绩斐然

台系三大主要模块厂财务分析

威刚、创见与劲永此三大台系模块厂，各有不同的经营方针与销售策略，威刚自有品牌与OEM并重，积极开发Flash商品攻城略地；创见善于自有品牌经营，创造低毛利中的新蓝海、劲永贴近时尚潮流，打造Flash商品如精品般的质感。迥然不同的销售战略创造出不同的营收表现，DRAMeXchange由各方面来深度剖析这三家台系模块厂的经营表现。

 获利能力

1-1 营收表现

根据图一我们可以发现，DRAM产业的淡旺季已不若以往明显，取而代之的是剧烈的价格变动牵动着整体营收的变化，如2006Q3与Q4的时候，DDR2 512Mb ett颗粒曾大涨至6.0美元，营业额攀升至高峰。到2007Q3的时候，价格滑落至1.0美元边缘，但营收并未因此而大幅衰退，有些甚至超越当时的营收，其中不外乎加重Flash商品的销售比例，开发新商品积极的抢占市场占有率等，在DRAM颗粒价格下滑的情形下，让营收的成长率仍是呈现持续上升的状态。

1-2 营业利益表现

威刚虽然营收规模不小，但整体营业利益表现略低于创见，而2007年营业利益大幅下滑，主要是因为DRAM颗粒跌幅过大与库存金额过高所致，虽在2007第二季之后有所回升，但营业利益表现仍旧不如营收规模来的亮眼。但随着第四季威刚的品牌再造与新制品出货，将有助于目前营收利益的往上成长。

创见近期的营业利益算是表现相当不错，配合其稳定成长之营收，OP income也呈现稳定成长。加上2007Q1时Flash价格大涨的获利与自有品牌市占率攀升，整体营业利益的获利情形2007年优于2006年。

劲永在2005年，因为公司内控问题营业利益出现赤字，导致获利不如预期。2007年第二季亦受到DRAM与Flash价格波动影响与庞大的存货压力，其营业利益也出现赤字，但随着第四季Flash新商品出货持续畅旺，将会改善目前的获利状况。

DDR2 品牌颗粒价格大幅下滑，DDR2 ett现货价格虽呈现平稳但有下探隐忧

上周现货市场eTT颗粒的价格呈现平稳的状态，DDR2 512Mb eTT价格从10/29的1.05美元回到11/5 1.03美元成交，跌幅仅约1.9%，相较于eTT颗粒的平稳价格变动，品牌颗粒却呈现大幅度的价格变动，现货价格从10/29的1.32美元回到11/5 1.13美元成交，跌幅约11%，就市场面观察，这次品牌颗粒跌价的原因，除了市场需求面仍然不强外，主要是现货市场出现19美元的原厂模块出现，换算成颗粒单价仅约1.0美元，造成品牌颗粒价格呈现走弱的局面。品牌颗粒的价格下滑势必牵动eTT颗粒的价格走势，加上目前模块厂与现货市场的库存水位仍高，DDR2 eTT颗粒有可能逼近甚至低于1美元的价位出现。

NAND Flash厂商3Q07营收成绩斐然; Samsung再度蝉连冠军

NAND Flash品牌厂商3Q07整体营收表现亮丽达到了3.966bn美元，比2Q07 营收成长了37%，由于3Q07为传统NAND Flash下游客户的备货旺季，再加上三星8月初突发的停电事件影响，造成3Q07 NAND Flash市场供应吃紧的状况，使得3Q07 NAND Flash ASP QoQ上涨约5%以上，虽然3Q07厂商有提高NAND Flash的投片量及MLC的生产比重，但由于部份NAND厂商5X nm新制程仍处在调整期阶段，因此3Q07整体NAND Flash厂商的比特出货量，比2Q07 比特出货量成长约30%，就3Q07营收排行而言，Samsung再度蝉连冠军，Toshiba居次，Hynix、Micron & Intel营收Q0Q均有显着的成长。

Samsung 3Q07 NAND Flash 营收市占率为39.1%，虽比2Q07 的43.5%稍微下滑，但仍然再度居于NAND Flash厂营收龙头的地位，主要是因为Samsung的器兴(Giheung)厂区在8月初发生停电的突发事件，使得NAND Flash的产出量稍微受到影响，再加上50 nm新制程技术在3Q07仍处于调整期，因此3Q07 NAND Flash 比特出货量仅较2Q07 比特出货量QoQ成长约3%，但因为SLC & MLC的价格在3Q07都有明显的上涨，因此3Q07 的营收仍比2Q07 营收QoQ成长了22.9%达到1.549bn美元。

Toshiba 3Q07 NAND Flash 营收市占率为24.4%与2Q07 相似，仍然再度居于NAND Flash厂营收亚军的地位，主因是Toshiba 在3Q07也持续增加了12” Fab 3 NAND Flash的投片量及制程技术的提升，使得出货量仍然持续增加，因此3Q07 的营收仍比2Q07 营收QoQ成长了36.1%达到968m美元。

Hynix 3Q07 NAND Flash 营收市占率为22%，比2Q07的16.6%明显提高，仍居于NAND Flash厂营收季军地位，主要是因为Hynix 在3Q07将12” Fab M10也投入NAND Flash的生产，使得3Q07比特出货量比2Q07出货量大幅QoQ成长92%，虽然因促销策略使3Q07 NAND Flash ASP比2Q07 NAND Flash ASP QoQ小跌约6%，但3Q07的整体NAND Flash营收仍比2Q07 营收QoQ大幅成长了81.1%，达到871m美元。

3Q07 Top 3 NAND Flash厂商约占整体营收85.5%的市占率与2Q07情况相若，所以市场集中度仍然很高，就其它厂商的状况而言，Intel与Micron合资的 IM Flash 在3Q07受惠于NAND Flash价格持续上涨，及NAND Flash投片量及制程技术的持续提升，所以3Q07 Micron & Intel的NAND Flash营收分别都比2Q07营收QoQ大幅成长达68.4% 及66.7%，而Micron & Intel的3Q07营收市占率也因此分别上升到6.6%及3.8%。

STMicro 3Q07因来自MCP的相关应用业务仍持续增加，因此3Q07 的NAND Flash营收比2Q07营收成长约12.2%，STMicro 3Q07 的营收市占率则为2.3%，同时2007年底前STMicron也计划与Intel 合资成立Numonyx来生产Flash memory的产品；另外 Renesas因策略上自2007年起将会持续降低自有AG-AND Flash的生产比重，并转由合作伙伴PSC为其代工，所以Renesas/PSC阵营的3Q07营收比2Q07营收下滑约34.8%，Renesas/PSC的3Q07营收市占率则为1.9%，同时PSC在4Q07将会开始生产MLC & SLC NAND Flash的新产品。

最后，DRAMeXchange将10/29和11/5的各容量的NAND Flash颗粒现货收盘价做一比较：1Gb SLC的价位从3.68美元小幅下滑至3.62美元，跌幅为1.6%；2Gb SLC从5.06下跌至4.82美元，跌幅4.7%；4Gb SLC从6.75小幅上升至6.83美元，涨幅1.2%；4Gb MLC从4.34小幅下滑至4.32美元，跌幅0.5.%；8Gb SLC则从13.56上涨至13.91美元，涨幅为2.6%；8Gb MLC的价格从4.66上涨至5.37，涨幅为15.2%；16Gb SLC则从27.77微幅下滑至27.7美元，跌幅为0.3%；16Gb MLC从9.64上涨至10.41美元，涨幅8%；32Gb MLC从22.2下跌至21.25美元，跌幅4.3%。